Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
SPI07N60S5
- spi07n60s5
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-262 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 970pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPI08N80C3
- spi08n80c3
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 800V 8A TO-262 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 5.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1100pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPI07N60C3
- spi07n60c3
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-262 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 790pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPD06N80C3
- spd06n80c3
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 800V 6A DPAK Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 3.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 41nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 785pF @ 100
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPD06N60C3
- spd06n60c3
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-252 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 3.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 620pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPD50P03L G
- spd50p03l.g
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 30V 50A TO-252 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 126nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6880pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPD50N03S2L06T
- spd50n03s2l06t
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 50A DPAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 68nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2530pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPD50N06S2L-13
- spd50n06s2l.13
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 55V 50A DPAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.7 mOhm @ 34A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 69nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2300pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPD50N03S2L-06 G
- spd50n03s2l.06.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 68nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2530pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPD50N03S2L-06
- spd50n03s2l.06
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 50A DPAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 68nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2530pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPD50N03S2-07 G
- spd50n03s2.07.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 46.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2170pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPD50N03S2-07
- spd50n03s2.07
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 50A DPAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 46.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2170pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPD35N10
- spd35n10
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 35A DPAK Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 26.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1570pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPD04N50C3
- spd04n50c3
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 2.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 560V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 470pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPD03N60C3
- spd03n60c3
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 3.2A DPAK Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 400pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPD30P06P G
- spd30p06p.g
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPD30P06P
- spd30p06p
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 60V 30A DPAK Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 21.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 48nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1535pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPD30N08S2-22
- spd30n08s2.22
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 75V 30A DPAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 57nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1950pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPD30N08S2L-21
- spd30n08s2l.21
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 75V 30A DPAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 72nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2130pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPD30N06S2L-23
- spd30n06s2l.23
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 55V 30A DPAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 22A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 42nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1390pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК