Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
SPD30N06S2L-13
- spd30n06s2l.13
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 55V 30A DPAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 69nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2300pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPD30N06S2-23
- spd30n06s2.23
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 55V 30A DPAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 21A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1250pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPD30N06S2-15
- spd30n06s2.15
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 55V 30A DPAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 52nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2070pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPD30N03S2L-20 G
- spd30n03s2l.20.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 700pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPD30N03S2L-20
- spd30n03s2l.20
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 30A DPAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 700pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPD30N03S2L10T
- spd30n03s2l10t
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 30A DPAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 41.8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1550pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPD30N03S2L-10 G
- spd30n03s2l.10.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 41.8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1550pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPD30N03S2L-10
- spd30n03s2l.10
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 30A DPAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 41.8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1550pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPD30N03S2L07T
- spd30n03s2l07t
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 30A DPAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 68nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2530pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPD30N03S2L-07 G
- spd30n03s2l.07.g
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPD30N03S2L-07
- spd30n03s2l.07
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 30A DPAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 68nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2530pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPD26N06S2L-35
- spd26n06s2l.35
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 55V 30A DPAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 790pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPD25N06S2-40
- spd25n06s2.40
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 55V 29A DPAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 29A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 710pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPD22N08S2L-50
- spd22n08s2l.50
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 75V 25A DPAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 11A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 850pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPD18P06P G
- spd18p06p.g
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 13.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 860p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPD18P06P
- spd18p06p
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-252 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 13.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 860pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPD15P10PL G
- spd15p10pl.g
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 11.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 62nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1490pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPD15P10P G
- spd15p10p.g
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 10.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 48nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1280pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPD15N06S2L-64
- spd15n06s2l.64
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 55V 19A DPAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 19A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 445pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPD14N06S2-80
- spd14n06s2.80
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 55V 17A DPAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 400pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК