Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для SPD11N10

SPD11N10

  • spd11n10
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 100V 10.5A DPAK Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 7.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18.3nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 400p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для SPD100N03S2L04T

SPD100N03S2L04T

  • spd100n03s2l04t
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 30V 100A DPAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 89.7nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3320pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для SPD100N03S2L-04

SPD100N03S2L-04

  • spd100n03s2l.04
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 30V 100A DPAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 89.7nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3320pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для SPD09P06PL G

SPD09P06PL G

  • spd09p06pl.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 6.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 450pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для SPD09P06PL

SPD09P06PL

  • spd09p06pl
  • Infineon Technologies
  • MOSFET P-CH 60V 9.7A DPAK Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 6.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 450pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для SPD08P06P

SPD08P06P

  • spd08p06p
  • Infineon Technologies
  • MOSFET P-CH 60V 8.83A DPAK Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 6.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.83A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 420pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для SPD08P06P G

SPD08P06P G

  • spd08p06p.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-252 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 6.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.83A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 420pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для SPD08N50C3

SPD08N50C3

  • spd08n50c3
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 560V 7.6A DPAK Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 560V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 750pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для SPD07N60S5T

SPD07N60S5T

  • spd07n60s5t
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 970pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для SPD07N60S5

SPD07N60S5

  • spd07n60s5
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 970pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для SPD07N60C3T

SPD07N60C3T

  • spd07n60c3t
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 790pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для SPD07N60C3

SPD07N60C3

  • spd07n60c3
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 790pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для SPD07N20 G

SPD07N20 G

  • spd07n20.g
  • GLENAIR
  • запросить APEC

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для SPD07N20

SPD07N20

  • spd07n20
  • SIEMENS

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для SPD04P10PL G

SPD04P10PL G

  • spd04p10pl.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET P-CH 100V 4.2A TO252-3 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 372pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для SPD04P10P G

SPD04P10P G

  • spd04p10p.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET P-CH 100V 4A TO252-3 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 2.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 319pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для SPD04N60S5

SPD04N60S5

  • spd04n60s5
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-252 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 2.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22.9nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 580

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для SPD04N50C3T

SPD04N50C3T

  • spd04n50c3t
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 2.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 560V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 470pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для SPD04N80C3

SPD04N80C3

  • spd04n80c3
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 800V 4A TO-252 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 Ohm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 570pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для SPD04N60C3

SPD04N60C3

  • spd04n60c3
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 650V 4.5A DPAK Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 2.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 490pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь