Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
SPB18P06P
- spb18p06p
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 13.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 860pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPB160N04S2-03
- spb160n04s2.03
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 160A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7320pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPB17N80C3
- spb17n80c3
- Infineon Technologies, Infineon
- MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 11A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 177nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2300pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPB16N50C3
- spb16n50c3
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 560V 16A TO-263 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 560V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 66nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1600pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPB11N60S5
- spb11n60s5
- Infineon
- MOSFET N-CH 600V 11A TO-263
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPB12N50C3
- spb12n50c3
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-263 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 560V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 49nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1200p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPB11N60C3
- spb11n60c3
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1200pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPB10N10L G
- spb10n10l.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-263 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 154 mOhm @ 8.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 444p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPB10N10L
- spb10n10l
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 154 mOhm @ 8.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 444pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPB10N10 G
- spb10n10.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 7.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19.4nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 426
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPB100N06S2L-05
- spb100n06s2l.05
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 230nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7530pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPB100N08S2-07
- spb100n08s2.07
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 66A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6020pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPB100N06S2-05
- spb100n06s2.05
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6800pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPB10N10
- spb10n10
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 7.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19.4nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 426
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPB100N04S2L-03
- spb100n04s2l.03
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 230nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8000pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPB100N08S2L-07
- spb100n08s2l.07
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 68A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 246nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7130pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPB100N03S2L03T
- spb100n03s2l03t
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 220nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8180pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPB100N03S2-03
- spb100n03s2.03
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7020pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPB100N03S2L-03 G
- spb100n03s2l.03.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 220nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8180pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPB100N03S2L-03
- spb100n03s2l.03
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 220nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8180pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК