Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для SPB73N03S2L-08

SPB73N03S2L-08

  • spb73n03s2l.08
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 30V 73A D2PAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1 mOhm @ 36A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 46.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 73A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1710pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для SPB73N03S2L-08 G

SPB73N03S2L-08 G

  • spb73n03s2l.08.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 30V 73A D2PAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1 mOhm @ 36A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 46.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 73A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1710pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для SPB80N03S2-03

SPB80N03S2-03

  • spb80n03s2.03
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7020pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для SPB77N06S2-12

SPB77N06S2-12

  • spb77n06s2.12
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 38A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2350pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для SPB70N10L

SPB70N10L

  • spb70n10l
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 100V 70A D2PAK Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 70A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4540pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для SPB47N10L

SPB47N10L

  • spb47n10l
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 33A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 135nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 47A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2500pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для SPB47N10

SPB47N10

  • spb47n10
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 33A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 105nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 47A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2500pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для SPB42N03S2L13T

SPB42N03S2L13T

  • spb42n03s2l13t
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 30V 42A D2PAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6 mOhm @ 21A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 42A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1130pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для SPB42N03S2L-13 G

SPB42N03S2L-13 G

  • spb42n03s2l.13.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 30V 42A D2PAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6 mOhm @ 21A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 42A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1130pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для SPB42N03S2L-13

SPB42N03S2L-13

  • spb42n03s2l.13
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 30V 42A D2PAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6 mOhm @ 21A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 42A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1130pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для SPB35N10 G

SPB35N10 G

  • spb35n10.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 26.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1570pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для SPB35N10T

SPB35N10T

  • spb35n10t
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 26.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1570pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для SPB35N10

SPB35N10

  • spb35n10
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 26.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1570pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для SPB21N50C3

SPB21N50C3

  • spb21n50c3
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 560V 21A TO-263 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 13.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 560V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 95nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2400pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для SPB21N10T

SPB21N10T

  • spb21n10t
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38.4nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 865pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для SPB21N10 G

SPB21N10 G

  • spb21n10.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38.4nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 865pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для SPB21N10

SPB21N10

  • spb21n10
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38.4nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 865pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для SPB20N60S5

SPB20N60S5

  • spb20n60s5
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 600V 20A TO-263 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 103nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3000pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для SPB20N60C3

SPB20N60C3

  • spb20n60c3
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 650V 20.7A D2PAK Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 13.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 114nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 24

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для SPB18P06P G

SPB18P06P G

  • spb18p06p.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 13.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 860pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь