Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
SPB100N03S203T
- spb100n03s203t
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7020pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPB100N04S2-04
- spb100n04s2.04
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 172nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7220pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPB100N03S2-03 G
- spb100n03s2.03.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7020pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPB08P06P G
- spb08p06p.g
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 6.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 420pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPB07N60S5
- spb07n60s5
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-263 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 970pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPB08P06P
- spb08p06p
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 60V 8.8A D2PAK Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 6.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 420pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPB07N60C3
- spb07n60c3
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 7.3A D2PAK Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 790pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPB04N60S5
- spb04n60s5
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-263 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 2.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22.9nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 580
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPB04N60C3
- spb04n60c3
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 4.5A D2PAK Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 2.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 490pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPB04N50C3
- spb04n50c3
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 560V 4.5A TO-263 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 2.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 560V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 470pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPB03N60C3
- spb03n60c3
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 3.2A D2PAK Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 400pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPB03N60S5
- spb03n60s5
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-263 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 420pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPB02N60S5
- spb02n60s5
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-263 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 240pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPB02N60C3
- spb02n60c3
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 1.8A D2PAK Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 200pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPA21N50C3
- spa21n50c3
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 560V 21A TO220FP Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 13.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 560V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 95nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2400p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPA20N65C3
- spa20n65c3
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 13.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 114nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPA20N60CFD
- spa20n60cfd
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 13.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 124nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPA20N60C3
- spa20n60c3
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220FP Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 13.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 114nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPA17N80C3
- spa17n80c3
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 800V 17A TO220FP Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 11A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 177nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2320pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPA16N50C3
- spa16n50c3
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 560V 16A TO220FP Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 560V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 66nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1600pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК