Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
SI7802DN-T1-E3
- si7802dn.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 435 mOhm @ 1.95A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.24A · FET Polarity: N-Channel · FET Fe
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7703EDN-T1-E3
- si7703edn.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 6.3A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.3A · FET Polarity: P-Channel · FET Featur
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7686DP-T1-E3
- si7686dp.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 8SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 13.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 12
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7664DP-T1-E3
- si7664dp.t1.e3
- VISHAY
- N-Kanal POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7636DP-T1-E3
- si7636dp.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 17A PPAK 8SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5600p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7495DP-T1-E3
- si7495dp.t1.e3
- VISHAY
- P-CHANNEL POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7483ADP-T1-E3
- si7483adp.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 30V 14A PPAK 8SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 24A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · FET Polarity: P-Channel · FET Featu
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7478DP-T1-E3
- si7478dp.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 60V 15A PPAK 8SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 160nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · FET Polarity: N-Channel · FET Featu
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7491DP-T1-E3
- si7491dp.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 30V 11A PPAK 8SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 85nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7485DP-T1-E3
- si7485dp.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK 8SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3 mOhm @ 20A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12.5A · FET Polarity: P-Channel · FET F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7489DP-T1-E3
- si7489dp.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 100V 28A PPAK 8SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 7.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 160nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 28A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7476DP-T1-E3
- si7476dp.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 40V 15A PPAK 8SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 177nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · FET Polarity: N-Channel · FET Featu
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7469DP-T1-E3
- si7469dp.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 80V 28A PPAK 8SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 10.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 160nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 28A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 47
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7465DP-T1-E3
- si7465dp.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK 8SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.2A · FET Polarity: P-Channel · FET Featur
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7464DP-T1-E3
- si7464dp.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK 8SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 2.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.8A · FET Polarity: N-Channel · FET F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7463DP-T1-E3
- si7463dp.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 40V 11A PPAK 8SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2 mOhm @ 18.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · FET Polarity: P-Channel · FET Fea
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7460DP-T1-E3
- si7460dp.t1.e3
- VISHAY
- N-Kanal POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7462DP-T1-E3
- si7462dp.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK 8SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 4.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.6A · FET Polarity: N-Channel · FET F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7459DP-T1-E3
- si7459dp.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 30V 13A PPAK 8SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 22A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · FET Polarity: P-Channel · FET Featu
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7461DP-T1-E3
- si7461dp.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK 8SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 14.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 190nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.6A · FET Polarity: P-Channel · FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК