Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
SI9424DY
- si9424dy
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 8A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2260pF @ 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI9424BDY-T1-E3
- si9424bdy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7.1A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.6A · FET Polarity: P-Channel · FET Featur
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI9410BDY-T1-E3
- si9410bdy.t1.e3
- VISHAY
- N-Channel Power Mosfet
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI9407BDY-T1-GE3
- si9407bdy.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 600pF @ 30V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI8435DB-T1-E1
- si8435db.t1.e1
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 10A 2X2 4-MFP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 1A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1600pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI8429DB-T1-E1
- si8429db.t1.e1
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 1A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1640p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI8424DB-T1-E1
- si8424db.t1.e1
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 8V 12.2A 2X2 4-MFP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 1A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1950p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI8415DB-T1-E1
- si8415db.t1.e1
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 12V 5.3A 2X2 4-MFP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 1A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.3A · FET Polarity: P-Channel · FET Featu
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI8417DB-T2-E1
- si8417db.t2.e1
- VISHAY
- P-CHANNEL POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI8413DB-T1-E1
- si8413db.t1.e1
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 4.8A 2X2 4-MFP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 1A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.8A · FET Polarity: P-Channel · FET Featu
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI8409DB-T1-E1
- si8409db.t1.e1
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 30V 4.6A 2X2 4-MFP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 1A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.6A · FET Polarity: P-Channel · FET Featu
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI8407DB-T2-E1
- si8407db.t2.e1
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 6-MFP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 1A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.8A · FET Polarity: P-Channel · FET Featu
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI8405DB-T1-E1
- si8405db.t1.e1
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 12V 3.6A 2X2 4-MFP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 1A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.6A · FET Polarity: P-Channel · FET Featu
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI8404DB-T1-E1
- si8404db.t1.e1
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 8V 12.2A 2X2 4-MFP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 1A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1950p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI8402DB-T1-E1
- si8402db.t1.e1
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 5.3A 2X2 4-MFP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 1A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.3A · FET Polarity: N-Channel · FET Featu
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI8401DB-T1-E1
- si8401db.t1.e1
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-MFP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 1A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.6A · FET Polarity: P-Channel · FET Featu
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7898DP-T1-E3
- si7898dp.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 150V 3A PPAK 8SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 3.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · FET Polarity: N-Channel · FET Featur
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7892BDP-T1-E3
- si7892bdp.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 15A PPAK 8SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 377
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7886ADP-T1-E3
- si7886adp.t1.e3
- VISHAY
- N-Kanal POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7882DP-T1-E3
- si7882dp.t1.e3
- VISHAY
- N-Kanal POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК