Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
SI7880ADP-T1-E3
- si7880adp.t1.e3
- VISHAY
- N-CH BWL 30V 3MOHM @ 10V PWM OPT
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7868ADP-T1-E3
- si7868adp.t1.e3
- VISHAY
- N-Channel Power Mosfet
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7866ADP-T1-E3
- si7866adp.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 40A PPAK 8SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 125nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 541
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7862ADP-T1-E3
- si7862adp.t1.e3
- VISHAY
- N-Kanal POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7858ADP-T1-E3
- si7858adp.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 12V 20A PPAK 8SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 29A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 80nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 57
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7856ADP-T1-E3
- si7856adp.t1.e3
- VISHAY
- N-Kanal POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7852DP-T1-E3
- si7852dp.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK 8SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 41nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.6A · FET Polarity: N-Channel · FET Fea
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7860ADP-T1-E3
- si7860adp.t1.e3
- VISHAY
- N-Kanal POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7852ADP-T1-E3
- si7852adp.t1.e3
- VISHAY
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7850DP-T1-E3
- si7850dp.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK 8SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 10.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.2A · FET Polarity: N-Channel · FET Fea
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7848BDP-T1-E3
- si7848bdp.t1.e3
- VISHAY
- N-Kanal POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7848DP-T1-E3
- si7848dp.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 40V 10.4A PPAK 8SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10.4A · FET Polarity: N-Channel · FET Featu
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7820DN-T1-E3
- si7820dn.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 2.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.7A · FET Polarity: N-Channel · FET Featu
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7846DP-T1-E3
- si7846dp.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 150V 4A PPAK 8SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7818DN-T1-E3
- si7818dn.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 3.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.2A · FET Polarity: N-Channel · FET Featu
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7812DN-T1-E3
- si7812dn.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 75V 16A 1212-8 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 7.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 840pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7810DN-T1-E3
- si7810dn.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 5.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.4A · FET Polarity: N-Channel · FET Featur
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7806ADN-T1-E3
- si7806adn.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7804DN-T1-E3
- si7804dn.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.5A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7716ADN-T1-GE3
- si7716adn.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 846pF @ 15V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК