Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
SI7309DN-T1-E3
- si7309dn.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 3.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 600pF @ 3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7308DN-T1-E3
- si7308dn.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 5.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 665pF @ 15
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7148DP-T1-E3
- si7148dp.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 75V 28A PPAK 8SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 28A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2900
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7138DP-T1-E3
- si7138dp.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 60V 30A PPAK 8SOIC Серия: WFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 19.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 135nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6900pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7136DP-T1-E3
- si7136dp.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 30A PPAK 8SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 78nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3380
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7120DN-T1-E3
- si7120dn.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.3A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7119DN-T1-E3
- si7119dn.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05 Ohm @ 1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 666pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7117DN-T1-E3
- si7117dn.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7116DN-T1-E3
- si7116dn.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 40V 10.5A 1212-8 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 16.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10.5A · FET Polarity: N-Channel · FET Fea
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7112DN-T1-E3
- si7112dn.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 17.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7114DN-T1-E3
- si7114dn.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 18.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11.7A · FET Polarity: N-Channel · FET Fea
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7113DN-T1-E3
- si7113dn.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134 mOhm @ 4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 55nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 148
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7110DN-T1-E3
- si7110dn.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 21.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13.5A · FET Polarity: N-Channel · FET Fea
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7108DN-T1-E3
- si7108dn.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 22A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7106DN-T1-E3
- si7106dn.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 19.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12.5A · FET Polarity: N-Channel · FET Fe
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7104DN-T1-E3
- si7104dn.t1.e3
- VISHAY
- GENII N-CHANNEL POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7107DN-T1-E3
- si7107dn.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8 mOhm @ 15.3A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 44nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.8A · FET Polarity: P-Channel · FET Fea
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7100DN-T1-E3
- si7100dn.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 15A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 105nC @ 8V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3810pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI6473DQ-T1-E3
- si6473dq.t1.e3
- VISHAY
- P-KANAL POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI6469DQ-T1-E3
- si6469dq.t1.e3
- VISHAY
- P-KANAL POWER MOSFET PLASTIK
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК