Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
SI6466ADQ-T1-E3
- si6466adq.t1.e3
- VISHAY
- SINGLE N-KANAL MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI6459BDQ-T1-E3
- si6459bdq.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 2.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.2A · FET Polarity: P-Channel · FET Featur
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI6465DQ-T1-E3
- si6465dq.t1.e3
- VISHAY
- P-KANAL POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI6463BDQ-T1-E3
- si6463bdq.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 7.4A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.2A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI6443DQ-T1-E3
- si6443dq.t1.e3
- VISHAY
- P-KANAL POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI6435ADQ-T1-E3
- si6435adq.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-TSSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.7A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI6433BDQ-T1-E3
- si6433bdq.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.8A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Level Gate · P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI6410DQ-T1-E3
- si6410dq.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 7.8A 8-TSSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 7.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.8A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI6413DQ-T1-E3
- si6413dq.t1.e3
- VISHAY
- P-KANAL POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI6415DQ-T1-E3
- si6415dq.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 30V 6.5A 8-TSSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 6.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.5A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI6423DQ-T1-E3
- si6423dq.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 9.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.2A · FET Polarity: P-Channel · FET Featu
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI5857DU-T1-E3
- si5857du.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 3.6A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 480pF @ 10V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI5858DU-T1-E3
- si5858du.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 8V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 520pF @ 10V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI5855DC-T1-E3
- si5855dc.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 2.7A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.7A · FET Polarity: P-Channel · FET Feat
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI5856DC-T1-E3
- si5856dc.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 4.4A 1206-8 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.4A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.4A · FET Polarity: N-Channel · FET Featu
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI5853DC-T1-E3
- si5853dc.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 2.7A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.7A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Diode (Isolated
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI5499DC-T1-E3
- si5499dc.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 5.1A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 8V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1290pF @ 4V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI5484DU-T1-E3
- si5484du.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 7.6A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 55nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI5485DU-T1-E3
- si5485du.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5.9A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 42nC @ 8V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 11
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI5486DU-T1-E3
- si5486du.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 7.7A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 54nC @ 8V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 21
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК