Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
SI5481DU-T1-E3
- si5481du.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 8V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 16
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI5482DU-T1-E3
- si5482du.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 7.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 51nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 16
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI5480DU-T1-E3
- si5480du.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 7.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 12
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI5476DU-T1-E3
- si5476du.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 60V 12A PPAK CHIPFET Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 4.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 11
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI5475BDC-T1-E3
- si5475bdc.t1.e3
- VISHAY
- P-KANAL POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI5473DC-T1-E3
- si5473dc.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 12V 5.9A 1206-8 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5.9A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.9A · FET Polarity: P-Channel · FET Featur
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI5443DC-T1-E3
- si5443dc.t1.e3
- VISHAY
- P-KANAL POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI5445BDC-T1-E3
- si5445bdc.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 5.2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.2A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI5463EDC-T1-E3
- si5463edc.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 3.8A 1206-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 4A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.8A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI5449DC-T1-E3
- si5449dc.t1.e3
- VISHAY
- P-KANAL POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI5447DC-T1-E3
- si5447dc.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 3.5A 1206-8 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76 mOhm @ 3.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.5A · FET Polarity: P-Channel · FET Featur
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI5441DC-T1-E3
- si5441dc.t1.e3
- VISHAY
- Chip FET1206-8
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI5441BDC-T1-E3
- si5441bdc.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4.4A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.4A · FET Polarity: P-Channel · FET Featur
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI5435BDC-T1-E3
- si5435bdc.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.3A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI5433BDC-T1-E3
- si5433bdc.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 4.8A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.8A · FET Polarity: P-Channel · FET Featur
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI5424DC-T1-E3
- si5424dc.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 4.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 950pF @ 15
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI5406DC-T1-E3
- si5406dc.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6.9A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.9A · FET Polarity: N-Channel · FET Featur
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI5404BDC-T1-E3
- si5404bdc.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 5.4A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.4A · FET Polarity: N-Channel · FET Featur
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI5402DC-T1-E3
- si5402dc.t1.e3
- VISHAY
- N KANAL POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI5406CDC-T1-GE3
- si5406cdc.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 8V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1100pF @ 6V · FET Polarity: N-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК