Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
PSMN005-30K,518
- psmn005.30k.518
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 20A SOT96-1 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3100pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PSMN005-25D,118
- psmn005.25d.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 25V 75A SOT428 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3500pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PSMN004-60B,118
- psmn004.60b.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 168nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8300pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PSMN004-55W,127
- psmn004.55w.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 100A SOT429 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 226nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 13000p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PSMN004-36B,118
- psmn004.36b.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 36V 75A SOT404 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 36V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 97nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6000pF @ 20
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PSMN003-30P,127
- psmn003.30p.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9200pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PSMN003-30B,118
- psmn003.30b.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9200pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMZ250UN,315
- pmz250un.315
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 20V 2.28A SOT883 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 200mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.89nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.28A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMZ760SN,315
- pmz760sn.315
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 60V 1.22A SOT883 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 300mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.05nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.22A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMZ350XN,315
- pmz350xn.315
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 1.87A SOT883 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 200mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.65nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.87A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMZ270XN,315
- pmz270xn.315
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 20V 2.15A SOT883 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340 mOhm @ 200mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMZ390UN,315
- pmz390un.315
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 1.78A SOT883 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460 mOhm @ 200mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.89nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.78A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMV65XP,215
- pmv65xp.215
- NXP Semiconductors
- MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT-23 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76 mOhm @ 2.8A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.6nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 725
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMV60EN,215
- pmv60en.215
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 4.7A SOT-23 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.4nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMV56XN,215
- pmv56xn.215
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 20V 3.76A SOT23 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 3.6A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.76A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 23
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMV45EN,215
- pmv45en.215
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT-23 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.4nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMV40UN,215
- pmv40un.215
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 445pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMV31XN,215
- pmv31xn.215
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT-23 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.8nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 410
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК