Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
PMV33UPE,215
- pmv33upe.215
- NXP (Philips)
- T&R
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMV30UN,215
- pmv30un.215
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 20V 5.7A SOT-23 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 460pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMV22EN,215
- pmv22en.215
- GLENAIR
- SOT-23 (TO-236), вес: 0.0082 г T&R
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMV170UN,215
- pmv170un.215
- NXP (Philips)
- T&R
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMV117EN,215
- pmv117en.215
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT23 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 147p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMR780SN,115
- pmr780sn.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 60V 0.55A SOT416 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920 mOhm @ 300mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.05nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 550mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMR370XN,115
- pmr370xn.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 0.84A SOT416 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440 mOhm @ 200mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.65nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 840mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMR400UN,115
- pmr400un.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 0.8A SOT416 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 200mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.89nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 800mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMR280UN,115
- pmr280un.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 20V 0.98A SOT416 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340 mOhm @ 200mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.89nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 980mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMR290UNE,115
- pmr290une.115
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMR290XN,115
- pmr290xn.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 20V 0.97A SOT416 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 200mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 970mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMN55LN,135
- pmn55ln.135
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 20V 4.1A 6TSOP Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13.1nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 500pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMN50XP,165
- pmn50xp.165
- NXP Semiconductors
- MOSFET P-CH 20V 4.8A 6TSOP Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 2.8A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1020p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMN49EN,165
- pmn49en.165
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH FET 30V 4.6A SC-74 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMN49EN,135
- pmn49en.135
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH FET 30V 4.6A SC-74 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMN45EN,135
- pmn45en.135
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT457 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.1nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 495pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК