Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
PMN45EN,165
- pmn45en.165
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT457 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.1nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 495pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMN40LN,135
- pmn40ln.135
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT457 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13.8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 555p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMN34LN,135
- pmn34ln.135
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 20V 5.7A SOT457 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 2.5A,10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13.1nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 500pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMN38EN,135
- pmn38en.135
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH FET 30V 5.4A 6-TSOP Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.1nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 49
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMN34UN,135
- pmn34un.135
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT457 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.9nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 790pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMN28UN,165
- pmn28un.165
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 12V 5.7A SOT457 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.1nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 740p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMN23UN,135
- pmn23un.135
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 20V 6.3A SOT457 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.6nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 740p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMN28UN,135
- pmn28un.135
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 12V 5.7A SOT457 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.1nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 740p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMN27UN,135
- pmn27un.135
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 20V 5.7A SOT457 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.6nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 740p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMN23UN,165
- pmn23un.165
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.6nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 740pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PML340SN,118
- pml340sn.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 220V 7.3A 8HVSON Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 386 mOhm @ 2.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 220V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PML260SN,118
- pml260sn.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 200V 8.8A 8HVSON Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 294 mOhm @ 2.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13.3nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMK50XP,518
- pmk50xp.518
- NXP Semiconductors
- MOSFET P-CH FET 20V 7.9A 8-SOIC Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.8A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMK30EP,518
- pmk30ep.518
- NXP Semiconductors
- MOSFET P-CH FET 30V 14.9A 8-SOIC Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 9.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMK35EP,518
- pmk35ep.518
- NXP Semiconductors
- MOSFET P-CH FET 30V 14.9A 8-SOIC Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 9.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 42nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMG370XN,115
- pmg370xn.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 0.96A SOT363 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440 mOhm @ 200mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.65nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 960mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMF780SN,115
- pmf780sn.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 60V 570MA SOT-323 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920 mOhm @ 300mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.05nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 570mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК