Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
PH955L,115
- ph955l.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 62.5A LFPAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 42nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 62.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2836pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PH9025L,115
- ph9025l.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 25V 66A LFPAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12.8nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 66A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1414pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PH8030L,115
- ph8030l.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 76.7A LFPAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15.2nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 76.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 22
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PH7030L,115
- ph7030l.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 68A LFPAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 68A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1362pF @ 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PH6325L,115
- ph6325l.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 25V 78.7A LFPAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13.3nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 78.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 18
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PH5525L,115
- ph5525l.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 25V 81.7A LFPAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16.6nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 81.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 21
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PH5330E,115
- ph5330e.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 80A LFPAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2010pF @ 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PH4840S,115
- ph4840s.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 40V 94.5A LFPAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 67nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 94.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3660p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PH4530L,115
- ph4530l.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 80A LFPAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23.5nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1972pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PH3855L,115
- ph3855l.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 24A LFPAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.7nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 24A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 765pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PH3830L,115
- ph3830l.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 98A LFPAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 98A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3190pF @ 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PH3330L,115
- ph3330l.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4840
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PH3230S,115
- ph3230s.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 42nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4100pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PH3075L,115
- ph3075l.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 75V 30A LFPAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2070pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PH2925U,115
- ph2925u.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 25A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 92nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6150pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PH2625L,115
- ph2625l.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4308pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PH2520U,115
- ph2520u.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 20V 100A LFPAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 25A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 78nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5850p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PH20100S,115
- ph20100s.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 100V 34.3A LFPAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 39nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 34.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2264
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PH1955L,115
- ph1955l.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 40A LFPAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1992pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PH1875L,115
- ph1875l.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 75V 45.8A LFPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33.4nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 45.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2600pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК