Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
PHB21N06LT,118
- phb21n06lt.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 19A SOT404 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.4nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 19A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 650pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHB20NQ20T,118
- phb20nq20t.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 200V 20A SOT404 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2470pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHB193NQ06T,118
- phb193nq06t.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 75A SOT404 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 85.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5082pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHB20N06T,118
- phb20n06t.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 20.3A SOT404 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 483pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHB191NQ06LT,118
- phb191nq06lt.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 95.6nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7665pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHB176NQ04T,118
- phb176nq04t.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 40V 75A SOT404 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 68.9nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3620pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHB18NQ10T,118
- phb18nq10t.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 100V 18A SOT-404 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 633pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHB174NQ04LT,118
- phb174nq04lt.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 64nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5345pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHB160NQ08T,118
- phb160nq08t.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 91nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5585pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHB146NQ06LT,118
- phb146nq06lt.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5675pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHB129NQ04LT,118
- phb129nq04lt.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 44.2nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3965pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHB145NQ06T,118
- phb145nq06t.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 75A SOT404 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 64.7nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3825pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHB143NQ04T,118
- phb143nq04t.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 40V 75A SOT404 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 52nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2840pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHB119NQ06T,118
- phb119nq06t.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 53nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2820pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHB110NQ08T,118
- phb110nq08t.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 113.1nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4860pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHB110NQ06LT,118
- phb110nq06lt.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3960pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHB110NQ08LT,118
- phb110nq08lt.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 127.3nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6631pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHB112N06T,118
- phb112n06t.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 87nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4352pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHB101NQ04T,118
- phb101nq04t.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2020pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHB108NQ03LT,118
- phb108nq03lt.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 25V 75A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16.3nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1375pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК