Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для PHD16N03T,118

PHD16N03T,118

  • phd16n03t.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 30V 13.1A DPAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 180pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для PHD16N03LT,118

PHD16N03LT,118

  • phd16n03lt.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 30V 16A SOT428 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 210pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для PHD108NQ03LT,118

PHD108NQ03LT,118

  • phd108nq03lt.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 25V 75A DPAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16.3nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1375pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для PHD101NQ03LT,118

PHD101NQ03LT,118

  • phd101nq03lt.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 30V 75A DPAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2180pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для PHB96NQ03LT,118

PHB96NQ03LT,118

  • phb96nq03lt.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 25V 75A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.95 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26.7nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2200pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для PHB95NQ04LT,118

PHB95NQ04LT,118

  • phb95nq04lt.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 40V 75A SOT404 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32.7nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2700pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для PHB73N06T,118

PHB73N06T,118

  • phb73n06t.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 60V 73A SOT404 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 54nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 73A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2464pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для PHB78NQ03LT,118

PHB78NQ03LT,118

  • phb78nq03lt.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 25V 40A SOT404 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 970pF @ 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для PHB66NQ03LT,118

PHB66NQ03LT,118

  • phb66nq03lt.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 25V 66A SOT404 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 66A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 860pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для PHB55N03LTA,118

PHB55N03LTA,118

  • phb55n03lta.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 25V 55A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 55A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 950pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для PHB47NQ10T,118

PHB47NQ10T,118

  • phb47nq10t.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 66nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 47A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3100pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для PHB45NQ15T,118

PHB45NQ15T,118

  • phb45nq15t.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 150V 45.1A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 45.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1770

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для PHB45NQ10T,118

PHB45NQ10T,118

  • phb45nq10t.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 100V 47A SOT404 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 61nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 47A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2600pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для PHB32N06LT,118

PHB32N06LT,118

  • phb32n06lt.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 60V 34A SOT404 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 34A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1280pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для PHB33NQ20T,118

PHB33NQ20T,118

  • phb33nq20t.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 200V 32.7A SOT404 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 32.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для PHB29N08T,118

PHB29N08T,118

  • phb29n08t.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 75V 27A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 14A, 11V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 27A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 810pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для PHB27NQ10T,118

PHB27NQ10T,118

  • phb27nq10t.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 100V 28A SOT404 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 28A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1240pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для PHB23NQ10LT,118

PHB23NQ10LT,118

  • phb23nq10lt.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 100V 23A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 49nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 23A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1704pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для PHB225NQ04T,118

PHB225NQ04T,118

  • phb225nq04t.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 40V 75A SOT404 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 94nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5100pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для PHB222NQ04LT,118

PHB222NQ04LT,118

  • phb222nq04lt.118
  • NXP Semiconductors
  • MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 93.6nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7880pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь