Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
NTMFS4841NT1G
- ntmfs4841nt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 8.3A SO-8FL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1436pF @ 12V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS4839NT1G
- ntmfs4839nt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1588pF @ 12V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS4839NHT1G
- ntmfs4839nht1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2354pF @ 12V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS4837NT1G
- ntmfs4837nt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 10A SO-8FL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2048pF @ 12V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS4836NT1G
- ntmfs4836nt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 11A SO-8FL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2677pF @ 12V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS4841NHT1G
- ntmfs4841nht1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 8.6A SO-8FL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16.7nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2113pF @ 12V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS4835NT1G
- ntmfs4835nt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 12A SO-8FL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 39nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3100pF @ 12V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS4833NT3G
- ntmfs4833nt3g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 16A SO-8FL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 58nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5600pF @ 12V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS4837NHT1G
- ntmfs4837nht1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 10.2A SO-8FL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23.8nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3016pF @ 12V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS4834NT1G
- ntmfs4834nt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 13A SO-8FL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 48nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4500pF @ 12V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS4833NT1G
- ntmfs4833nt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 191A SO-8FL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 58nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5600pF @ 12V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS4825NFET1G
- ntmfs4825nfet1g
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS4708NT1G
- ntmfs4708nt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 11.5A 30V SO8 FL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 11.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 970pF @ 24V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS4821NT1G
- ntmfs4821nt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 8.8A SO-8FL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.95 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1400pF @ 12V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS4823NT1G
- ntmfs4823nt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 6.9A SO-8FL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 795pF @ 15V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS4744NT1G
- ntmfs4744nt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 7A SO-8FL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1300pF @ 12V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS4708NT3G
- ntmfs4708nt3g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 11.5A 30V SO8 FL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 11.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 970pF @ 24V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS4707NT3G
- ntmfs4707nt3g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 10.2A 30V SO8 FL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 735pF @ 24V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS4701NT3G
- ntmfs4701nt3g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 12.3A 30V SO8 FL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1280pF @ 24V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS4707NT1G
- ntmfs4707nt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 10.2A 30V SO8 FL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 735pF @ 24V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК