Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
NTLJS3113PT1G
- ntljs3113pt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CHAN 20V WFDN6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 3A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15.7nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1329pF @ 16V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTLJF3118NTAG
- ntljf3118ntag
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 2.6A 6-WDFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.8A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.7nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 271pF @ 10V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTLJS2103PTAG
- ntljs2103ptag
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 12V 3.5A 6-WDFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 3A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1157pF @ 6V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTLJF4156NT1G
- ntljf4156nt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET/SCHOTTKY N-CH 30V WDFN6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 427pF @ 15V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTLGF3501NT1G
- ntlgf3501nt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN Серия: FETKY™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.4A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 275pF @ 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTLGF3402PT2G
- ntlgf3402pt2g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-DFN Серия: FETKY™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 2.7A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTLGF3402PT1G
- ntlgf3402pt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-DFN Серия: FETKY™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 2.7A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTK3142PT1G
- ntk3142pt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 215MA SOT-723 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 260mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 215mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 15.3pF @ 10V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTK3134NT1G
- ntk3134nt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 750MA SOT-723 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 890mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 750mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 120pF @ 16V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logi
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTK3139PT1G
- ntk3139pt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 660MA SOT-723 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 780mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 660mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 170pF @ 16V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logi
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTJS4405NT1G
- ntjs4405nt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 600mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 60pF @ 10V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTJS4160NT1G
- ntjs4160nt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 2.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.75nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 230pF @ 10V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTJS4405NT1
- ntjs4405nt1
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 600mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 60pF @ 10V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTJS4151PT1
- ntjs4151pt1
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 3.3A SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.3A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 850pF @ 10V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTJS4151PT1G
- ntjs4151pt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 3.3A SC-88 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.3A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 850pF @ 10V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTK3043NT1G
- ntk3043nt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CHAN 225MA 20V SOT-723 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 Ohm @ 10mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 210mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 11pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTK3043NT5G
- ntk3043nt5g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 210MA SOT-723 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 Ohm @ 10mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 210mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 11pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTJS4405NT4G
- ntjs4405nt4g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 600mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 60pF @ 10V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTJS4405NT4
- ntjs4405nt4
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 600mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 60pF @ 10V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTJS3157NT4G
- ntjs3157nt4g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 500pF @ 10V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК