Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
NTMFS4701NT1G
- ntmfs4701nt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 12.3A 30V SO8 FL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1280pF @ 24V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS4122NT3G
- ntmfs4122nt3g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CHAN 14A 30V SO8 FL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2310pF @ 24V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS4121NT3G
- ntmfs4121nt3g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CHAN 17A 30V SO8 FL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.25 mOhm @ 24A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2700pF @ 24V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS4122NT1G
- ntmfs4122nt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CHAN 14A 30V 8-SOIC FL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2310pF @ 24V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS4121NT1G
- ntmfs4121nt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CHAN 17A 30V 8-SOIC FL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.25 mOhm @ 24A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2700pF @ 24V · FET Po
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS4120NT1G
- ntmfs4120nt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CHAN 18A 30V 8-SOIC FL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 26A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3600pF @ 24V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS4119NT3G
- ntmfs4119nt3g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CHAN 18A 30V SO8 FL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 29A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4800pF @ 24V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS4120NT3G
- ntmfs4120nt3g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CHAN 18A 30V SO8 FL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 26A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3600pF @ 24V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS4119NT1G
- ntmfs4119nt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CHAN 18A 30V SO8 FL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 29A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4800pF @ 24V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS4108NT3G
- ntmfs4108nt3g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CHAN 22A 30V SO8 FL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 21A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 54nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6000pF @ 15V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS4108NT1G
- ntmfs4108nt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 13.5A SO-8FL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 21A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 54nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6000pF @ 15V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMD4884NFR2G
- ntmd4884nfr2g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 3.3A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 360pF @ 15V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMD4184PFR2G
- ntmd4184pfr2g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 2.3A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 360pF @ 10V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTLUS3A90PZTBG
- ntlus3a90pztbg
- ON Semiconductor
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) POWER MOSFET 20V 3A 60 MO
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTLUS3A40PZTAG
- ntlus3a40pztag
- ON Semiconductor
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) T4 20/8 PCH 2X2 8 CHANNEL
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTLUS3A90PZTAG
- ntlus3a90pztag
- ON Semiconductor
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) POWER MOSFET 20V 3A 60 MO
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTLUS3A40PZTBG
- ntlus3a40pztbg
- ON Semiconductor
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) T4 20/8 PCH UDFN SING
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTLUF4189NZTAG
- ntluf4189nztag
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 1.5A DUAL 6UDFN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTLJS4159NT1G
- ntljs4159nt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-WFDN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1045pF @ 15V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTLJS3113PTAG
- ntljs3113ptag
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WDFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 3A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15.7nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1329pF @ 16V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК