Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
NTHD5904NT1
- nthd5904nt1
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.3A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 465pF @ 16V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTHD5904NT3G
- nthd5904nt3g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.3A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 465pF @ 16V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTHD4N02FT1
- nthd4n02ft1
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 300pF @ 10V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTHD5904NT1G
- nthd5904nt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CHAN 3.3A 20V CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.3A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 465pF @ 16V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTHD5904NT3
- nthd5904nt3
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.3A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 465pF @ 16V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTHD4N02FT1G
- nthd4n02ft1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 300pF @ 10V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTHD4P02FT1G
- nthd4p02ft1g
- ON Semiconductor
- MOSFET/SCHOTTKY P-CH 20V CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 2.2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 300pF @ 10V · FET P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTHD3133PFT1G
- nthd3133pft1g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH SGL 20V CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 680pF @ 10V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTHD3101FT3G
- nthd3101ft3g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 680pF @ 10V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTHD3101FT3
- nthd3101ft3
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 680pF @ 10V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTHD3101FT1G
- nthd3101ft1g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 680pF @ 10V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTHD2110TT1G
- nthd2110tt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 6.4A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1072pF @ 6V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTGS4141NT1G
- ntgs4141nt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 3.5A 6-TSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 560pF @ 24V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTGS5120PT1G
- ntgs5120pt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 60V 1.8A 6-TSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111 mOhm @ 2.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18.1nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 942pF @ 30V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTGS4111PT1G
- ntgs4111pt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 2.6A 6-TSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 750pF @ 15V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTGS4111PT1
- ntgs4111pt1
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 2.6A 6-TSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 750pF @ 15V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTGS3455T1G
- ntgs3455t1g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 2.5A 6-TSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 480pF @ 5V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTGS3455T1
- ntgs3455t1
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 2.5A 6-TSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 480pF @ 5V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTGS3446T1G
- ntgs3446t1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 2.5A 6TSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5.1A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 750pF @ 10V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTGS3446T1
- ntgs3446t1
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 2.5A 6-TSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5.1A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 750pF @ 10V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК