Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
NTJS3157NT4
- ntjs3157nt4
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 500pF @ 10V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTJS3157NT2
- ntjs3157nt2
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 500pF @ 10V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTJS3157NT2G
- ntjs3157nt2g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 500pF @ 10V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTJS3151PT2G
- ntjs3151pt2g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.3A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 850pF @ 12V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTJS3151PT1G
- ntjs3151pt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.3A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 850pF @ 12V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTJS3151PT2
- ntjs3151pt2
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.3A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 850pF @ 12V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTJS3157NT1G
- ntjs3157nt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 500pF @ 10V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTHS5443T1G
- nths5443t1g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 3.6A CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.6A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.6A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTHS4501NT1
- nths4501nt1
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 4.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.1nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 462pF @ 24V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTHS5445T1
- nths5445t1
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 8V 5.2A CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.2A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTHS5443T1
- nths5443t1
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 3.6A CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.6A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.6A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTHS4166NT1G
- nths4166nt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 4.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.2nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 900pF @ 15V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTHS5404T1G
- nths5404t1g
- ON Semiconductor
- MOSFET PWR N-CH 5.2A 20V CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.2A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTHS5441T1G
- nths5441t1g
- ON Semiconductor
- MOSFET PWR P-CH 3.9A 20V CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 3.9A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 710pF @ 5V · FET Po
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTHS5402T1
- nths5402t1
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.9A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTHS4501NT1G
- nths4501nt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 4.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.1nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 462pF @ 24V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTHS4111PT1G
- nths4111pt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 3.3A CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1500pF @ 24V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTHS4101PT1G
- nths4101pt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 4.8A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2100pF @ 16V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTHS2101PT1
- nths2101pt1
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5.4A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2400pF @ 6.4V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTHS2101PT1G
- nths2101pt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5.4A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2400pF @ 6.4V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК