Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для IXFX48N50Q

IXFX48N50Q

  • ixfx48n50q
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 500V 48A PLUS247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 190nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 48A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 700

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXFX240N15T2

IXFX240N15T2

  • ixfx240n15t2
  • Ixys
  • Интегральные схемы (ИС) усилителей мощности GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXFX320N17T2

IXFX320N17T2

  • ixfx320n17t2
  • Ixys
  • Интегральные схемы (ИС) усилителей мощности GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXFX30N100Q2

IXFX30N100Q2

  • ixfx30n100q2
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 186nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXFX32N100Q3

IXFX32N100Q3

  • ixfx32n100q3
  • IXYS
  • Tube 15.9052

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXFX200N10P

IXFX200N10P

  • ixfx200n10p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 235nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7600

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXFX360N15T2

IXFX360N15T2

  • ixfx360n15t2
  • Ixys
  • Интегральные схемы (ИС) усилителей мощности GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXFX32N50

IXFX32N50

  • ixfx32n50
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 300nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 32A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5450p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXFT20N80Q

IXFT20N80Q

  • ixft20n80q
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 800V 20A TO-268 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5100

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXFT16N90Q

IXFT16N90Q

  • ixft16n90q
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 900V 16A TO-268 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4000

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXFT15N100Q

IXFT15N100Q

  • ixft15n100q
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vd

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXFT12N100

IXFT12N100

  • ixft12n100
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 155nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXFP4N100Q

IXFP4N100Q

  • ixfp4n100q
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 39nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 10

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXFT10N100

IXFT10N100

  • ixft10n100
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 155nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vd

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXFT13N80Q

IXFT13N80Q

  • ixft13n80q
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 800V 13A TO-268 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3250p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXFK36N60

IXFK36N60

  • ixfk36n60
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 600V 36A TO-264AA Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 325nC @ 25V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 36A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 90

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXFK360N15T2

IXFK360N15T2

  • ixfk360n15t2
  • Ixys
  • Интегральные схемы (ИС) усилителей мощности GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXFK50N50

IXFK50N50

  • ixfk50n50
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 500V 50A TO-264AA Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 330nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 940

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXFK44N50Q

IXFK44N50Q

  • ixfk44n50q
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 500V 44A TO-264AA Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 190nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 44A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 70

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXFK320N17T2

IXFK320N17T2

  • ixfk320n17t2
  • Ixys
  • Интегральные схемы (ИС) усилителей мощности GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь