Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

IXFK48N50Q

  • ixfk48n50q
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 500V 48A TO-264 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 190nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 48A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7000

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXFK35N50

  • ixfk35n50
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 500V 35A TO-264AA Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 16.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 227nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 57

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXFK30N50Q

  • ixfk30n50q
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 500V 30A TO-264AA Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 39

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXFK26N120P

  • ixfk26n120p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 1200V 26A TO-264 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 225nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 26A · Input Capacitance (Ciss) @ Vd

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXFK240N15T2

  • ixfk240n15t2
  • Ixys
  • Интегральные схемы (ИС) усилителей мощности GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXFK180N085

  • ixfk180n085
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 85V 180A TO-264AA Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 85V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 320nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 180A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9100

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXFH9N80Q

  • ixfh9n80q
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 800V 9A TO-247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 56nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2200pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXFK150N15

  • ixfk150n15
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 150V 150A TO-264 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 360nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 150A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXFH9N80

  • ixfh9n80
  • GLENAIR
  • TO-3P

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXFH96N20P

  • ixfh96n20p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 200V 96A TO-247 Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 145nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 96A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4800pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXFH96N15P

  • ixfh96n15p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 150V 96A TO-247 Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 96A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3500pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXFH80N15Q

  • ixfh80n15q
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 150V 80A TO-247AD Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXFH80N10

  • ixfh80n10
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 100V 80A TO-247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 480

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXFH66N20Q

  • ixfh66n20q
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 200V 66A TO-247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 105nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 66A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3700p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXFH6N100Q

  • ixfh6n100q
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 1000V 6A TO-247AD Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 48nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXFH80N085

  • ixfh80n085
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 85V 80A TO-247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 85V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4800pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXFH74N20

  • ixfh74n20
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 200V 74A TO-247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 280nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 74A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5400p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXFH70N15

  • ixfh70n15
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 150V 70A TO-247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 70A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3600p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXFH7N90Q

  • ixfh7n90q
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 900V 7A TO-247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 56nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2200pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXFH74N20P

  • ixfh74n20p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 200V 74A TO-247 Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 107nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 74A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3300pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь