Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IXFH75N10Q
- ixfh75n10q
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 75A TO-247AD Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 370
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH58N20
- ixfh58n20
- IXYS
- MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 220nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 58A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 440
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH42N60P3
- ixfh42n60p3
- IXYS
- TO-247, вес: 5.1945 г
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH30N40Q
- ixfh30n40q
- IXYS
- MOSFET N-CH 400V 30A TO-247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 95nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3300p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH30N60Q
- ixfh30n60q
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 30A TO-247AD Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 125nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 47
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH30N50
- ixfh30n50
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 300nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5700pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH32N50
- ixfh32n50
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 32A TO-247AD Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 300nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 32A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5700
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH26N50Q
- ixfh26n50q
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 26A TO-247AD Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 95nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 26A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 390
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH26N50
- ixfh26n50
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 26A TO-247AD Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 160nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 26A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 42
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH21N50
- ixfh21n50
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 21A TO-247AD Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 160nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 42
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH24N50
- ixfh24n50
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 24A TO-247AD Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 160nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 24A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 42
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH24N50Q
- ixfh24n50q
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 24A TO-247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 95nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 24A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3900p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH16N90Q
- ixfh16n90q
- IXYS
- MOSFET N-CH 900V 16A TO-247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4000
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH170N10P
- ixfh170n10p
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 170A TO-247 Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 198nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 170A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6000p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH15N60
- ixfh15n60
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 15A TO-247AD Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 45
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH15N100
- ixfh15n100
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 15A TO-247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 220nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH150N17T
- ixfh150n17t
- IXYS
- MOSFET N-CH 175V 150A TO-247 Серия: TrenchHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 175V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 155nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 150A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 980
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH14N80
- ixfh14n80
- IXYS
- MOSFET N-CH 800V 14A TO-247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4870
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH13N90
- ixfh13n90
- IXYS
- MOSFET N-CH 900V 13A TO-247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 155nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4200
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH150N15P
- ixfh150n15p
- IXYS
- MOSFET N-CH 150V 150A TO-247 Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 190nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 150A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5800
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК