Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IXFH13N80Q
- ixfh13n80q
- IXYS
- MOSFET N-CH 800V 13A TO-247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3250p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH13N80
- ixfh13n80
- IXYS
- MOSFET N-CH 800V 13A TO-247AD Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 155nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 42
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH12N90
- ixfh12n90
- IXYS
- MOSFET N-CH 900V 12A TO-247AD Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 155nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 42
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH12N100F
- ixfh12n100f
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 Серия: HiPerRF™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 77nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH13N100
- ixfh13n100
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO-247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 155nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12.5A · Input Capacitance (Ciss)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFF24N100
- ixff24n100
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 22A I4-PAC Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 250nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 22A · FET Polarity: N-Channel · FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFB80N50Q2
- ixfb80n50q2
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 80A PLUS264 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 250nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1500
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFB50N80Q2
- ixfb50n80q2
- IXYS
- MOSFET N-CH 800V 50A PLUS264 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 260nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 720
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFB100N50P
- ixfb100n50p
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 200
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXCY01N90E
- ixcy01n90e
- IXYS
- MOSFET N-CH 900V 250MA TO-252 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 Ohm @ 50mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 250mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 133pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXCP01N90E
- ixcp01n90e
- IXYS
- MOSFET N-CH 900V 250MA TO-220 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 Ohm @ 50mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 250mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 133pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ISL9N303AS3ST
- isl9n303as3st
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 172nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7000pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ISL9N303AS3
- isl9n303as3
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 75A TO-262AA Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 172nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7000pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ISL9N303AP3
- isl9n303ap3
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 172nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7000pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ISL9N302AS3ST
- isl9n302as3st
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 300nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 11000pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ISL9N302AP3
- isl9n302ap3
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 300nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 11000p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ISL9N302AS3
- isl9n302as3
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 75A TO-262AA Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 300nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 11000p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTY3N50P
- ixty3n50p
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.3nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 409pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTY3N60P
- ixty3n60p
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 3A D-PAK Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 411pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTY2R4N50P
- ixty2r4n50p
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.1nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 240pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК