Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IXTP6N50P
- ixtp6n50p
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 6A TO-220 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 740pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTP5N60P
- ixtp5n60p
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 5A TO-220 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 750pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTP5N50P
- ixtp5n50p
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-220 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 620
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTP4N60P
- ixtp4n60p
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 4A TO-220 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 635pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTP3N60P
- ixtp3n60p
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 3A TO-220 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 411pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTP60N10T
- ixtp60n10t
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 60A TO-220 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 49nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2650pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTP3N50P
- ixtp3n50p
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 3.6A TO-220 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.3nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 409pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFK44N50P
- ixfk44n50p
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 44A TO-264 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 98nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 44A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5440pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTP2R4N50P
- ixtp2r4n50p
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-220 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.1nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 240
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTP3N120
- ixtp3n120
- IXYS
- MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO-220AB Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 42nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTP2N60P
- ixtp2n60p
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 2A TO-220 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 240pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTP220N075T
- ixtp220n075t
- IXYS
- MOSFET N-CH 75V 220A TO-220 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 165nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 220A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7700pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTP1R6N50P
- ixtp1r6n50p
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 1.6A TO-220 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.9nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 140p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTP182N055T
- ixtp182n055t
- IXYS
- MOSFET N-CH 55V 182A TO-220 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 114nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 182A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4850pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTP200N085T
- ixtp200n085t
- IXYS
- MOSFET N-CH 85V 200A TO-220 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 85V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 152nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7600pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTP1R4N60P
- ixtp1r4n60p
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 1.4A TO-220 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 140pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTP180N10T
- ixtp180n10t
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 180A TO-220 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 151nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 180A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6900
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTP160N075T
- ixtp160n075t
- IXYS
- MOSFET N-CH 75V 160A TO-220 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 112nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 160A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4950pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTP16N50P
- ixtp16n50p
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 16A TO-220 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 43nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2250pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTP152N085T
- ixtp152n085t
- IXYS
- MOSFET N-CH 85V 152A TO-220 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 85V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 114nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 152A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5500pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК