Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IXTH26N60P
- ixth26n60p
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 26A TO-247 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 72nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 26A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4150pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTH240N055T
- ixth240n055t
- IXYS
- MOSFET N-CH 55V 240A TO-247 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 240A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7600pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTH24N50
- ixth24n50
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 24A TO-247 Серия: MegaMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 190nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 24A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4200p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTH20N60
- ixth20n60
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD Серия: MegaMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 450
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTH11P50
- ixth11p50
- IXYS
- MOSFET P-CH 500V 11A TO-247AD Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4700pF @ 25V · FET Po
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTH13N110
- ixth13n110
- IXYS
- MOSFET N-CH 1.1KV 13A TO-247AD Серия: MegaMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1100V (1.1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 195nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTH10P60
- ixth10p60
- IXYS
- MOSFET P-CH 600V 10A TO-247AD Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 160nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4700pF @ 25V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTH10P50
- ixth10p50
- IXYS
- MOSFET P-CH 500V 10A TO-247AD Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 160nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4700pF @ 25V · FET Po
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTC26N50P
- ixtc26n50p
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 15A ISOPLUS220 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3600
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTC180N10T
- ixtc180n10t
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 90A ISOPLUS220 Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Power - Max: 150W · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: ISOPLUS220™
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTA8PN50P
- ixta8pn50p
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 8A D2-PAK Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTA8N50P
- ixta8n50p
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 8A D2-PAK Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1050pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTA7N60P
- ixta7n60p
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 7A D2-PAK Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1080pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTA5N50P
- ixta5n50p
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 4.8A D2PAK Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 620p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTA6N50P
- ixta6n50p
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 6A D2-PAK Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 740pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTA5N60P
- ixta5n60p
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 5A D2-PAK Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 750pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTA4N60P
- ixta4n60p
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 4A D2-PAK Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 635pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTA3N60P
- ixta3n60p
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 3A D2-PAK Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 411pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTA3N120TRL
- ixta3n120trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 42nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1350pF @ 25V · FE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTA3N50P
- ixta3n50p
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 3.6A D2PAK Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.3nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 409pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК