Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IXTP14N60P
- ixtp14n60p
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 14A TO-220 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2500pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTP130N10T
- ixtp130n10t
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 130A TO-220 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 104nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 130A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5080
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTP12N50PM
- ixtp12n50pm
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 6A TO-220 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1830pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTP10N60P
- ixtp10n60p
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1610pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTP10N60PM
- ixtp10n60pm
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 5A TO-220 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1610pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTP12N50P
- ixtp12n50p
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 12A TO-220 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1830pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTP01N100D
- ixtp01n100d
- IXYS
- MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 Ohm @ 50mA, 0V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 120pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: D
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTI12N50P
- ixti12n50p
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 12A I2-PAK Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1830pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTI10N60P
- ixti10n60p
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 10A I2-PAK Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1610pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTH8P50
- ixth8p50
- IXYS
- MOSFET P-CH 500V 8A TO-247 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3400pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTH7P50
- ixth7p50
- IXYS
- MOSFET P-CH 500V 7A TO-247AD Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3400pF @ 25V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTH75N10
- ixth75n10
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 75A TO247AD Серия: MegaMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 260nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4500p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTH50P085
- ixth50p085
- IXYS
- MOSFET P-CH 85V 50A TO-247AD Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 85V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4200pF @ 25V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTH5N100A
- ixth5n100a
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 5A TO247AD Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2600pF @ 25V · FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTH67N10
- ixth67n10
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 67A TO247AD Серия: MegaMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 260nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 67A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4500p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTH40N30
- ixth40n30
- IXYS
- MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD Серия: MegaMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 220nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4600
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTH36N50P
- ixth36n50p
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 36A TO-247 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 85nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 36A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5500pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTH30N60P
- ixth30n60p
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 30A TO-247 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 82nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5050pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTH30N50P
- ixth30n50p
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4150pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTH24P20
- ixth24p20
- IXYS
- MOSFET P-CH 200V 24A TO-247AD Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 24A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4200pF @ 25V · FET Po
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК