Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

IXTP14N60P

  • ixtp14n60p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 600V 14A TO-220 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2500pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXTP130N10T

  • ixtp130n10t
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 100V 130A TO-220 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 104nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 130A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5080

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXTP12N50PM

  • ixtp12n50pm
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 500V 6A TO-220 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1830pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXTP10N60P

  • ixtp10n60p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1610pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXTP10N60PM

  • ixtp10n60pm
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 600V 5A TO-220 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1610pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXTP12N50P

  • ixtp12n50p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 500V 12A TO-220 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1830pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXTP01N100D

  • ixtp01n100d
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 Ohm @ 50mA, 0V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 120pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: D

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXTI12N50P

  • ixti12n50p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 500V 12A I2-PAK Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1830pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXTI10N60P

  • ixti10n60p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 600V 10A I2-PAK Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1610pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXTH8P50

  • ixth8p50
  • IXYS
  • MOSFET P-CH 500V 8A TO-247 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3400pF @ 25V · FET Polarit

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXTH7P50

  • ixth7p50
  • IXYS
  • MOSFET P-CH 500V 7A TO-247AD Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3400pF @ 25V · FET Polar

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXTH75N10

  • ixth75n10
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 100V 75A TO247AD Серия: MegaMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 260nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4500p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXTH50P085

  • ixth50p085
  • IXYS
  • MOSFET P-CH 85V 50A TO-247AD Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 85V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4200pF @ 25V · FET Polar

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXTH5N100A

  • ixth5n100a
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 1000V 5A TO247AD Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2600pF @ 25V · FET

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXTH67N10

  • ixth67n10
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 100V 67A TO247AD Серия: MegaMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 260nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 67A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4500p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXTH40N30

  • ixth40n30
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD Серия: MegaMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 220nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4600

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXTH36N50P

  • ixth36n50p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 500V 36A TO-247 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 85nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 36A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5500pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXTH30N60P

  • ixth30n60p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 600V 30A TO-247 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 82nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5050pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXTH30N50P

  • ixth30n50p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4150pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXTH24P20

  • ixth24p20
  • IXYS
  • MOSFET P-CH 200V 24A TO-247AD Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 24A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4200pF @ 25V · FET Po

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь