Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IXFH14N60P
- ixfh14n60p
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 14A TO-247 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2500pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH13N50
- ixfh13n50
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 13A TO-247AD Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 28
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH10N90
- ixfh10n90
- IXYS
- MOSFET N-CH 900V 10A TO-247AD Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 155nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 420
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH12N100
- ixfh12n100
- IXYS
- MOSFET N-CH 1KV 12A TO-247AD Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 155nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH11N80
- ixfh11n80
- IXYS
- MOSFET N-CH 800V 11A TO-247AD Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 155nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 42
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH12N80P
- ixfh12n80p
- IXYS
- MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 51nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2800pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH10N100
- ixfh10n100
- IXYS
- MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 155nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vd
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFC30N60P
- ixfc30n60p
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 85nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3820
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFC36N50P
- ixfc36n50p
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS220 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 93nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 19A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5500
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFC26N50P
- ixfc26n50p
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 15A ISOPLUS220 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3600
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFC22N60P
- ixfc22n60p
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 12A ISOPLUS220 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 11A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 58nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4000
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFC16N80P
- ixfc16n80p
- IXYS
- MOSFET N-CH 800V 9A ISOPLUS220 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 71nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4600pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFC16N50P
- ixfc16n50p
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 10A ISOPLUS220 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 43nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2250p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFC14N60P
- ixfc14n60p
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 8A ISOPLUS220 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630 mOhm @ 7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2500pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFA14N60P
- ixfa14n60p
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 14A D2-PAK Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2500pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFA16N50P
- ixfa16n50p
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 16A D2-PAK Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 43nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2250pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFA12N50P
- ixfa12n50p
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1830pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFA10N60P
- ixfa10n60p
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1610pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLZ44ZSTRRPBF
- irlz44zstrrpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 31A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 51A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1620pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLZ44ZSTRLPBF
- irlz44zstrlpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 31A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 51A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1620pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК