Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IXFK34N80
- ixfk34n80
- IXYS
- MOSFET N-CH 800V 34A TO-264AA Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 270nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 34A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 75
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFK24N100
- ixfk24n100
- IXYS
- MOSFET N-CH 1KV 24A TO-264AA Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 267nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 24A · Input Capacitance (Ciss) @ V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFK180N10
- ixfk180n10
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 180A TO-264AA Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 390nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 180A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 10
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFK120N20
- ixfk120n20
- IXYS
- MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 300nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFK110N07
- ixfk110n07
- IXYS
- MOSFET N-CH 70V 110A TO-264AA Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 70V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 480nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 110A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9000
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH80N20Q
- ixfh80n20q
- IXYS
- MOSFET N-CH 200V 80A TO-247AD Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 460
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH76N07-11
- ixfh76n07.11
- IXYS
- MOSFET N-CH 70V 76A TO-247AD Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 70V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 76A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4400pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH76N07-12
- ixfh76n07.12
- IXYS
- MOSFET N-CH 70V 76A TO-247AD Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 70V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 76A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4400pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH80N10Q
- ixfh80n10q
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 80A TO-247AD Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 450
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH7N80
- ixfh7n80
- IXYS
- MOSFET N-CH 800V 7A TO-247AD Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2800p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH75N10
- ixfh75n10
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 75A TO-247AD Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 260nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 450
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH6N90
- ixfh6n90
- IXYS
- MOSFET N-CH 900V 6A TO-247AD Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2600p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH6N100
- ixfh6n100
- IXYS
- MOSFET N-CH 1KV 6A TO-247AD Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH52N30Q
- ixfh52n30q
- IXYS
- MOSFET N-CH 300V 52A TO-247AD Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 52A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 530
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH44N50P
- ixfh44n50p
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 44A TO-247 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 98nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 44A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5440pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH58N20Q
- ixfh58n20q
- IXYS
- MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 58A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 360
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH50N20
- ixfh50n20
- IXYS
- MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AD Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 220nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 440
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH42N20
- ixfh42n20
- IXYS
- MOSFET N-CH 200V 42A TO-247AD Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 220nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 42A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 440
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH40N30Q
- ixfh40n30q
- IXYS
- MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 310
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH36N60P
- ixfh36n60p
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 36A TO-247 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 102nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 36A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5800p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК