Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IRLR7821TRPBF
- irlr7821trpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 65A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 65A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1030pF @ 15V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLR7821TRLPBF
- irlr7821trlpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 65A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 65A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1030pF @ 15V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLR7821PBF
- irlr7821pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 65A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 65A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1030pF @ 15V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLR7811WPBF
- irlr7811wpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 64A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 64A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2260pF @ 15
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLR7811WCPBF
- irlr7811wcpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 64A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 64A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2260pF @ 15
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLR7807ZTRPBF
- irlr7807ztrpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 43A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 43A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 780pF @ 15V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLR7807ZTRRPBF
- irlr7807ztrrpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 43A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 43A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 780pF @ 15V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLR7807ZTRLPBF
- irlr7807ztrlpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 43A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 43A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 780pF @ 15V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLR7807ZPBF
- irlr7807zpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 43A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 43A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 780pF @ 15V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLR7807ZTR
- irlr7807ztr
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 43A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 43A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 780pF @ 15V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLR6225TRPBF
- irlr6225trpbf
- Internation.Rectifer
- DPAK/MOSFET, 20V, 100A, 4.0 MOHM, 2.5V DRIVE CAPABLE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLR7807ZCPBF
- irlr7807zcpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 43A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 43A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 780pF @ 15V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLR4343TRR
- irlr4343trr
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 26A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 42nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 26A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 740pF @ 50V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLR4343TRRPBF
- irlr4343trrpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 26A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 42nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 26A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 740pF @ 50V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLR4343TRPBF
- irlr4343trpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 26A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 42nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 26A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 740pF @ 50V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLR4343TRL
- irlr4343trl
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 26A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 42nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 26A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 740pF @ 50V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLR4343TR
- irlr4343tr
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 26A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 42nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 26A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 740pF @ 50V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLR4343PBF
- irlr4343pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 26A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 42nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 26A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 740pF @ 50V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLR4343
- irlr4343
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 26A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 42nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 26A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 740pF @ 50V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLR3915TRPBF
- irlr3915trpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 30A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 92nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1870pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК