Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IRLR3715TR
- irlr3715tr
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 20V 54A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 26A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 54A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1060pF @ 10V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLR3715
- irlr3715
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 20V 54A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 26A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 54A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1060pF @ 10V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLR3714ZTRR
- irlr3714ztrr
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 20V 37A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 37A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 560pF @ 10V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLR3714ZTRL
- irlr3714ztrl
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 20V 37A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 37A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 560pF @ 10V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLR3714ZTR
- irlr3714ztr
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 20V 37A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 37A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 560pF @ 10V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLR3714ZPBF
- irlr3714zpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 20V 37A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 37A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 560pF @ 10V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLR3714Z
- irlr3714z
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 20V 37A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 37A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 560pF @ 10V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLR3714TRR
- irlr3714trr
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 20V 36A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 36A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 670pF @ 10V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLR3714TRPBF
- irlr3714trpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 20V 36A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 36A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 670pF @ 10V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLR3714TRLPBF
- irlr3714trlpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 20V 36A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 36A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 670pF @ 10V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLR3714TRL
- irlr3714trl
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 20V 36A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 36A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 670pF @ 10V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLR3714PBF
- irlr3714pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 20V 36A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 36A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 670pF @ 10V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLR3714
- irlr3714
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 20V 36A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 36A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 670pF @ 10V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLR3705ZTRPBF
- irlr3705ztrpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 42A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 66nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 42A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2900pF @ 25V · F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLR3705ZPBF
- irlr3705zpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 42A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 66nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 42A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2900pF @ 25V · F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLR3636TRPBF
- irlr3636trpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 60V 50A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8 mohm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 49nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3779pF @ 50V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLR3705Z
- irlr3705z
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 42A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 66nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 42A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2900pF @ 25V · F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLR3636PBF
- irlr3636pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8 mohm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 49nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3779pF @ 50
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLR3410TRRPBF
- irlr3410trrpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 100V 17A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 800pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRLR3410TRR
- irlr3410trr
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 100V 17A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 800pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК