Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

IRLR3915PBF

  • irlr3915pbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 55V 30A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 92nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1870pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRLR3802TRPBF

  • irlr3802trpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 12V 84A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 15A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 41nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 84A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2490pF @ 6V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRLR3717TRRPBF

  • irlr3717trrpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 20V 120A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2830pF @ 10V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRLR3802PBF

  • irlr3802pbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 12V 84A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 15A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 41nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 84A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2490pF @ 6V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRLR3717TRPBF

  • irlr3717trpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 20V 120A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2830pF @ 10V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRLR3717TRLPBF

  • irlr3717trlpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 20V 120A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2830pF @ 10V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRLR3717PBF

  • irlr3717pbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 20V 120A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2830pF @ 10V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRLR3715ZTRRPBF

  • irlr3715ztrrpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 20V 49A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 49A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 810pF @ 10V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRLR3715ZTRL

  • irlr3715ztrl
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 20V 49A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 49A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 810pF @ 10V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRLR3715ZTRLPBF

  • irlr3715ztrlpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 20V 49A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 49A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 810pF @ 10V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRLR3715ZTRPBF

  • irlr3715ztrpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 20V 49A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 49A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 810pF @ 10V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRLR3715ZTRR

  • irlr3715ztrr
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 20V 49A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 49A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 810pF @ 10V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRLR3715ZTR

  • irlr3715ztr
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 20V 49A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 49A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 810pF @ 10V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRLR3715Z

  • irlr3715z
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 20V 49A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 49A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 810pF @ 10V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRLR3715ZPBF

  • irlr3715zpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 20V 49A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 49A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 810pF @ 10V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRLR3715TRPBF

  • irlr3715trpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 20V 54A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 26A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 54A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1060pF @ 10V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRLR3715TRR

  • irlr3715trr
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 20V 54A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 26A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 54A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1060pF @ 10V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRLR3715TRLPBF

  • irlr3715trlpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 20V 54A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 26A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 54A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1060pF @ 10V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRLR3715TRL

  • irlr3715trl
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 20V 54A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 26A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 54A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1060pF @ 10V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRLR3715PBF

  • irlr3715pbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 20V 54A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 26A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 54A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1060pF @ 10V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь