Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IRFU2307ZPBF
- irfu2307zpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 75V 42A I-PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 32A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 75nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 42A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2190pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFU224PBF
- irfu224pbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 250V 3.8A I-PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 2.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 260pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFU224
- irfu224
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 250V 3.8A I-PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 2.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 260pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFU220PBF
- irfu220pbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 200V 4.8A I-PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 2.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 260pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFU220_R4941
- irfu220.r4941
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 4.6A I-PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 2.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 330pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFU220NPBF
- irfu220npbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 200V 5A I-PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 2.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 300pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFU220N
- irfu220n
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 200V 5A I-PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 2.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 300pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFU214PBF
- irfu214pbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 250V 2.2A I-PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 140pF @ 25V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFU214
- irfu214
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 250V 2.2A I-PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 140pF @ 25V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFU210
- irfu210
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 200V 2.6A I-PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 140pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFU1N60A
- irfu1n60a
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 600V 1.4A I-PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 840mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 229pF @ 25V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFU1N60APBF
- irfu1n60apbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 600V 1.4A I-PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 840mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 229pF @ 25V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFU210PBF
- irfu210pbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 200V 2.6A I-PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 140pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFU18N15D
- irfu18n15d
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 150V 18A I-PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 11A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 43nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 900pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFU15N20DPBF
- irfu15n20dpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 200V 17A I-PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 41nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 910pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFU13N20DPBF
- irfu13n20dpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 200V 13A I-PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 830pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFU13N15D
- irfu13n15d
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 150V 14A I-PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 8.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 620pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFU12N25DPBF
- irfu12n25dpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 250V 14A I-PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 8.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 810pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFU120PBF
- irfu120pbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 100V 7.7A I-PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 4.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 360pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFU120Z
- irfu120z
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 100V 8.7A I-PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 5.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 310pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК