Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IRFU12N25D
- irfu12n25d
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 250V 14A I-PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 8.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 810pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFU120ZPBF
- irfu120zpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 100V 8.7A I-PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 5.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 310pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFU120NPBF
- irfu120npbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 100V 9.4A I-PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 5.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 330pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFU1205PBF
- irfu1205pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 44A I-PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 26A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 44A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1300pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFU1205
- irfu1205
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 44A I-PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 26A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 44A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1300pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFU120
- irfu120
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 100V 7.7A I-PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 4.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 360pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFU110
- irfu110
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 2.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.3nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 180pF @ 25V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFU120ATU
- irfu120atu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 8.4A IPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 4.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 480pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFU110PBF
- irfu110pbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 2.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.3nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 180pF @ 25V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFU1018EPBF
- irfu1018epbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 60V 56A I-PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4 mOhm @ 47A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 69nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 56A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2290pF @ 50V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFU1010ZPBF
- irfu1010zpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 42A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 95nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 42A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2840pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFU1010Z
- irfu1010z
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 42A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 95nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 42A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2840pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFU024PBF
- irfu024pbf
- Vishay/Siliconix, Vishay
- MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 8.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 640pF @ 25V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFU024NPBF
- irfu024npbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 370pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFU024
- irfu024
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 8.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 640pF @ 25V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFU020PBF
- irfu020pbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 8.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 640pF @ 25V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFU014PBF
- irfu014pbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 4.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 300pF @ 25V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFU020
- irfu020
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 8.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 640pF @ 25V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFU010
- irfu010
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 50V 8.2A I-PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 4.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 50V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 250pF @ 25V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFTS9342TRPBF
- irfts9342trpbf
- Internation.Rectifer
- EAR99
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК