Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IRFU014
- irfu014
- Vishay/Siliconix, Vishay
- MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 4.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 300pF @ 25V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFTS8342TRPBF
- irfts8342trpbf
- Internation.Rectifer
- EAR99
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFSL9N60ATRL
- irfsl9n60atrl
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 49nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1400pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFSL5620PBF
- irfsl5620pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 200V 24A TO262 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77.5 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 24A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1710pF @ 50V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFSL9N60ATRR
- irfsl9n60atrr
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 49nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1400pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFSL9N60APBF
- irfsl9n60apbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 49nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1400pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFSL59N10D
- irfsl59n10d
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 100V 59A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 35.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 114nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 59A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2450pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFSL4615PBF
- irfsl4615pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 150V 33A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 21A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 33A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1750pF @ 5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFSL4620PBF
- irfsl4620pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 200V 24A TO262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77.5 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 24A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1710pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFSL9N60A
- irfsl9n60a
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 49nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1400pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFSL4610PBF
- irfsl4610pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 100V 73A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 44A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 73A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3550pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFSL4610
- irfsl4610
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 100V 73A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 44A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 73A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3550pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFSL4410ZPBF
- irfsl4410zpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 100V 97A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 58A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 97A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4820pF @ 5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFSL4310ZPBF
- irfsl4310zpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 100V 120A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6860pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFSL4321PBF
- irfsl4321pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 150V 83A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 33A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 83A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4460pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFSL4410PBF
- irfsl4410pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 100V 88A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 58A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 88A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5150pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFSL4410
- irfsl4410
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 100V 96A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 58A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 96A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5150pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFSL4310PBF
- irfsl4310pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 100V 130A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 250nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 130A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7670pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFSL4228PBF
- irfsl4228pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 150V 83A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 33A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 107nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 83A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4530pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFSL4227PBF
- irfsl4227pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 200V 62A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 46A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 98nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 62A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4600pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК