Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для IRFS4020PBF

IRFS4020PBF

  • irfs4020pbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 11A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1200pF @ 50V · FET Polarity

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRFS4010PBF

IRFS4010PBF

  • irfs4010pbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 106A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 215nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 180A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9575pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRFS4010TRL7PP

IRFS4010TRL7PP

  • irfs4010trl7pp
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 110A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 230nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 190A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9830pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRFS4010TRLPBF

IRFS4010TRLPBF

  • irfs4010trlpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 106A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 215nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 180A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9575pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRFS38N20DTRLP

IRFS38N20DTRLP

  • irfs38n20dtrlp
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 26A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 91nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 43A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2900pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRFS38N20DTRRP

IRFS38N20DTRRP

  • irfs38n20dtrrp
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 26A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 91nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 43A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2900pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRFS38N20DPBF

IRFS38N20DPBF

  • irfs38n20dpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 26A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 91nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 43A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2900pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRFS3806PBF

IRFS3806PBF

  • irfs3806pbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 43A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1150pF @ 50

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRFS3607PBF

IRFS3607PBF

  • irfs3607pbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 46A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 84nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3070pF @ 50V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRFS3806TRLPBF

IRFS3806TRLPBF

  • irfs3806trlpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 43A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1150pF @ 50

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRFS3607TRLPBF

IRFS3607TRLPBF

  • irfs3607trlpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 46A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 84nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3070pF @ 50V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRFS350A

IRFS350A

  • irfs350a
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 400V 11.5A TO-3PF Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 5.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 131nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2780pF @ 25V · FET

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRFS3507TRLPBF

IRFS3507TRLPBF

  • irfs3507trlpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 75V 97A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 58A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 97A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3540pF @ 50

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRFS33N15DPBF

IRFS33N15DPBF

  • irfs33n15dpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 33A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2020pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRFS33N15DTRLP

IRFS33N15DTRLP

  • irfs33n15dtrlp
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 33A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2020pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRFS3507

IRFS3507

  • irfs3507
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 75V 97A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 58A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 97A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3540pF @ 50

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRFS33N15D

IRFS33N15D

  • irfs33n15d
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 33A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2020pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRFS3307PBF

IRFS3307PBF

  • irfs3307pbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5150pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRFS3307TRLPBF

IRFS3307TRLPBF

  • irfs3307trlpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5150pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRFS3307ZPBF

IRFS3307ZPBF

  • irfs3307zpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4750pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь