Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

IRFS3307

  • irfs3307
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 75V 130A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 130A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5150pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFS3306PBF

  • irfs3306pbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4520pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFS3306TRLPBF

  • irfs3306trlpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4520pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFS3207TRLPBF

  • irfs3207trlpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 260nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 170A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7600pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFS3207PBF

  • irfs3207pbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 260nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 170A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7600pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFS3206TRRPBF

  • irfs3206trrpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6540pF @ 50

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFS3207ZPBF

  • irfs3207zpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6920pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFS3206PBF

  • irfs3206pbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6540pF @ 50

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFS31N20DTRRP

  • irfs31n20dtrrp
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 31A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2370pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFS31N20DTRR

  • irfs31n20dtrr
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 31A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2370pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFS3107TRL7PP

  • irfs3107trl7pp
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK-7 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 160A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 240A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9200pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFS31N20DTRL

  • irfs31n20dtrl
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 31A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2370pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFS31N20DTRLP

  • irfs31n20dtrlp
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 31A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2370pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFS31N20DPBF

  • irfs31n20dpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 107nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 31A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2370pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFS3107TRLPBF

  • irfs3107trlpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 140A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 195A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9370pF @ 5

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFS3107PBF

  • irfs3107pbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 140A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 195A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9370pF @ 5

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFS3006TRL7PP

  • irfs3006trl7pp
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK-7 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 168A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 300nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 240A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8850pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFS3006PBF

  • irfs3006pbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 170A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 300nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 195A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8970pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFS3006TRLPBF

  • irfs3006trlpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 170A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 300nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 195A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8970pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFS3004TRL7PP

  • irfs3004trl7pp
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25 mOhm @ 195A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 240A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9130p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь