Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IRFS4321TRLPBF
- irfs4321trlpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 33A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 83A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4460pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFS4321PBF
- irfs4321pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 33A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 83A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4460pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFS4310TRLPBF
- irfs4310trlpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 250nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 130A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7670pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFS4310ZTRLPBF
- irfs4310ztrlpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6860pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFS4310TRRPBF
- irfs4310trrpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 250nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 130A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7670pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFS4310PBF
- irfs4310pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 250nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 130A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7670pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFS4310ZPBF
- irfs4310zpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6860pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFS4229PBF
- irfs4229pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 26A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 45A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4560pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFS4228PBF
- irfs4228pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 33A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 107nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 83A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4530pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFS4227TRLPBF
- irfs4227trlpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 46A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 98nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 62A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4600pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFS4227PBF
- irfs4227pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 46A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 98nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 62A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4600pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFS41N15DPBF
- irfs41n15dpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 41A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2520pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFS41N15DTRLP
- irfs41n15dtrlp
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 41A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2520pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFS41N15DTRR
- irfs41n15dtrr
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 41A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2520pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFS4127TRLPBF
- irfs4127trlpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 44A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 72A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5380pF @ 5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFS4127PBF
- irfs4127pbf
- International Rectifier, IR
- MOSFET N-CH 200V 72A D2-PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 44A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 72A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5380pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFS4115TRLPBF
- irfs4115trlpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1 mOhm @ 62A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 195A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5270pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFS4115TRL7PP
- irfs4115trl7pp
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK-7 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8 mOhm @ 63A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 105A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5320
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFS4115PBF
- irfs4115pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 150V 195A D2-PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1 mOhm @ 62A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 195A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5270p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFS4010TRRPBF
- irfs4010trrpbf
- Internation.Rectifer
- D2PAK/MOSFET, 100V, 180A, 4.7 MOHM, 143 NC QG, D2-PAK
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК