Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

IRFR4104TRRPBF

  • irfr4104trrpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 40V 42A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 42A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 89nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 42A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2950pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR4104TRR

  • irfr4104trr
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 40V 42A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 42A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 89nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 42A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2950pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR4104TRPBF

  • irfr4104trpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 40V 42A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 42A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 89nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 42A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2950pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR4104PBF

  • irfr4104pbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 40V 42A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 42A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 89nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 42A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2950pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3910TRR

  • irfr3910trr
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 100V 16A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 44nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 640pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3911TRPBF

  • irfr3911trpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 100V 14A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 8.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 740pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3910TRL

  • irfr3910trl
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 100V 16A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 44nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 640pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3910TRPBF

  • irfr3910trpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 100V 16A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 44nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 640pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3910TRLPBF

  • irfr3910trlpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 100V 16A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 44nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 640pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3910PBF

  • irfr3910pbf
  • International Rectifier, IR
  • MOSFET N-CH 100V 16A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 44nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 640pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3806PBF

  • irfr3806pbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 60V 43A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 43A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1150pF @ 50V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3806TRPBF

  • irfr3806trpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 60V 43A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 43A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1150pF @ 50V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3711ZTRR

  • irfr3711ztrr
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 20V 93A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 93A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2160pF @ 10V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3711ZTRPBF

  • irfr3711ztrpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 20V 93A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 93A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2160pF @ 10V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3711ZTRL

  • irfr3711ztrl
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 20V 93A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 93A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2160pF @ 10V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3711ZPBF

  • irfr3711zpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 20V 93A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 93A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2160pF @ 10V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3711Z

  • irfr3711z
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 20V 93A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 93A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2160pF @ 10V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3711ZTR

  • irfr3711ztr
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 20V 93A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 93A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2160pF @ 10V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3711ZTRLPBF

  • irfr3711ztrlpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 20V 93A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 93A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2160pF @ 10V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3711TRRPBF

  • irfr3711trrpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 20V 100A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 44nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2980pF @ 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь