Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

IRFR3711TRR

  • irfr3711trr
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 20V 100A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 44nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2980pF @ 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3711TRPBF

  • irfr3711trpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 20V 100A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 44nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2980pF @ 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3711TRLPBF

  • irfr3711trlpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 20V 100A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 44nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2980pF @ 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3711TRL

  • irfr3711trl
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 20V 100A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 44nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2980pF @ 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3710ZTRPBF

  • irfr3710ztrpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 100V 42A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 33A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 42A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2930pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3711TR

  • irfr3711tr
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 20V 100A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 44nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2980pF @ 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3711

  • irfr3711
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 20V 100A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 44nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2980pF @ 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3710ZTRL

  • irfr3710ztrl
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 100V 42A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 33A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 42A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2930pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3710ZTRR

  • irfr3710ztrr
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 100V 42A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 33A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 42A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2930pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3711PBF

  • irfr3711pbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 20V 100A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 44nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2980pF @ 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3710ZTR

  • irfr3710ztr
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 100V 42A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 33A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 42A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2930pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3710ZPBF

  • irfr3710zpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 100V 42A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 33A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 42A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2930pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3709ZTRLPBF

  • irfr3709ztrlpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 30V 86A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 86A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2330pF @ 15V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3709ZTRPBF

  • irfr3709ztrpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 30V 86A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 86A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2330pF @ 15V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3709ZPBF

  • irfr3709zpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 30V 86A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 86A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2330pF @ 15V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3709ZTRRPBF

  • irfr3709ztrrpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 30V 86A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 86A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2330pF @ 15V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3709Z

  • irfr3709z
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 30V 86A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 86A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2330pF @ 15V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3708TRRPBF

  • irfr3708trrpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 30V 61A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 61A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2417pF @ 15

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3708TRL

  • irfr3708trl
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 30V 61A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 61A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2417pF @ 15

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3707ZTRRPBF

  • irfr3707ztrrpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 30V 56A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 56A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1150pF @ 15V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь