Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

IRFR3708PBF

  • irfr3708pbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 30V 61A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 61A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2417pF @ 15

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3708TRR

  • irfr3708trr
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 30V 61A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 61A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2417pF @ 15

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3708TR

  • irfr3708tr
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 30V 61A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 61A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2417pF @ 15

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3708TRPBF

  • irfr3708trpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 30V 61A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 61A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2417pF @ 15

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3708

  • irfr3708
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 30V 61A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 61A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2417pF @ 15

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3707ZTRPBF

  • irfr3707ztrpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 30V 56A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 56A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1150pF @ 15V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3707ZTRLPBF

  • irfr3707ztrlpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 30V 56A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 56A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1150pF @ 15V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3707ZPBF

  • irfr3707zpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 30V 56A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 56A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1150pF @ 15V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3707TRR

  • irfr3707trr
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 30V 61A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 61A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1990pF @ 15V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3707TRPBF

  • irfr3707trpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 30V 61A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 61A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1990pF @ 15V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3707Z

  • irfr3707z
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 30V 56A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 56A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1150pF @ 15V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3707TRL

  • irfr3707trl
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 30V 61A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 61A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1990pF @ 15V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3707PBF

  • irfr3707pbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 30V 61A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 61A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1990pF @ 15V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3707TR

  • irfr3707tr
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 30V 61A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 61A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1990pF @ 15V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3707

  • irfr3707
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 30V 61A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 61A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1990pF @ 15V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3706TRR

  • irfr3706trr
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 20V 75A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2410pF @ 10V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3706TRPBF

  • irfr3706trpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 20V 75A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2410pF @ 10V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3706TRL

  • irfr3706trl
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 20V 75A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2410pF @ 10V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3706PBF

  • irfr3706pbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 20V 75A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2410pF @ 10V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRFR3704ZTRPBF

  • irfr3704ztrpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 20V 60A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1190pF @ 10V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь