Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IRFP9240
- irfp9240
- Vishay/Siliconix, Fairchild
- MOSFET P-CH 200V 12A TO-247AC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 7.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 44nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1200pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFPC48
- irfpc48
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 600V 8.9A TO-247AC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820 mOhm @ 5.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 180
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFPC40PBF
- irfpc40pbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-247AC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 4.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1300pF @ 25V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP9140PBF
- irfp9140pbf
- Vishay/Siliconix, FS
- MOSFET P-CH 100V 21A TO-247AC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 61nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1400pF @ 25V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP9140N
- irfp9140n
- International Rectifier
- MOSFET P-CH 100V 23A TO-247AC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 97nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 23A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1300pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP90N20DPBF
- irfp90n20dpbf
- International Rectifier, IR
- MOSFET N-CH 200V 94A TO-247AC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 56A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 270nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 94A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6040pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP9140NPBF
- irfp9140npbf
- International Rectifier
- MOSFET P-CH 100V 23A TO-247AC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 97nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 23A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1300pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP9140
- irfp9140
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 100V 21A TO-247AC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 61nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1400pF @ 25V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP7430PBF
- irfp7430pbf
- Internation.Rectifer
- TO247/MOSFET, 40V, 195A, 1.4 MOHM, 300 NC QG
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP470
- irfp470
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 24A TO-247AD Серия: MegaMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 190nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 24A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 420
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP4768PBF
- irfp4768pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 250V 93A TO-247AC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5 mOhm @ 56A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 270nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 93A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 10880
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP4710PBF
- irfp4710pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 100V 72A TO-247AC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 45A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 72A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6160pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP4668PBF
- irfp4668pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 200V 130A TO-247AC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7 mOhm @ 81A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 241nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 130A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1072
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP460PBF
- irfp460pbf
- Vishay/Siliconix, IR
- MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 210nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4200pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP460LCPBF
- irfp460lcpbf
- Vishay/Siliconix, IR
- MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3600pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP460LC
- irfp460lc
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3600pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP460C
- irfp460c
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6000pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP460P
- irfp460p
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 210nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4200pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP460NPBF
- irfp460npbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 124nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3540pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP460A
- irfp460a
- Vishay/Siliconix, IR
- MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 105nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3100pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК