Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IRFP460APBF
- irfp460apbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 105nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3100pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP460
- irfp460
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AD Серия: MegaMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 210nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4200p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP450LCPBF
- irfp450lcpbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 8.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 74nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2200pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP4568PBF
- irfp4568pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 150V 171A TO-247AC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 103A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 227nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 171A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 104
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP450B
- irfp450b
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 14A TO-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 113nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3800pF @ 25V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP450LC
- irfp450lc
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 8.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 74nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2200pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP450PBF
- irfp450pbf
- Vishay/Siliconix, Vishay
- MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 8.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2600pF @ 25V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP450NPBF
- irfp450npbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370 mOhm @ 8.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 77nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2260pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP450APBF
- irfp450apbf
- Vishay/Siliconix, FS
- MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 8.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 64nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2038pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP450A
- irfp450a
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 8.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 64nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2038pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP450
- irfp450
- STMicroelectronics, ST
- MOSFET N-CH 500V 14A TO-247 Серия: PowerMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2000pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP448PBF
- irfp448pbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 500V 11A TO-247AC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 6.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 84nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1900pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP448
- irfp448
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 500V 11A TO-247AC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 6.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 84nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1900pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP4410ZPBF
- irfp4410zpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 100V 97A TO-247AC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 58A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 97A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4820pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP4332PBF
- irfp4332pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 250V 57A TO-247AC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 57A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5860pF @ 25V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP4468PBF
- irfp4468pbf
- International Rectifier, IR
- MOSFET N-CH 100V 195A TO-247AC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 180A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 540nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 195A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 198
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP4368PBF
- irfp4368pbf
- International Rectifier, IR
- MOSFET N-CH 75V 195A TO-247AC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85 mOhm @ 195A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 570nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 195A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1923
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP440PBF
- irfp440pbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 500V 8.8A TO-247AC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 5.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 63nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1300pF @ 25V · FET Po
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP440
- irfp440
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 500V 8.8A TO-247AC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 5.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 63nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1300pF @ 25V · FET Po
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP4321PBF
- irfp4321pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 150V 78A TO-247AC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5 mOhm @ 33A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 78A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4460p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК