Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IRFP4310ZPBF
- irfp4310zpbf
- International Rectifier, IR
- MOSFET N-CH 100V 120A TO-247AC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6860pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP4242PBF
- irfp4242pbf
- International Rectifier, IR
- MOSFET N-CH 300V 46A TO-247AC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 33A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 247nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 46A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7370pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP4232PBF
- irfp4232pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 250V 60A TO-247AC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.7 mOhm @ 42A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7290pF @ 25V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP4228PBF
- irfp4228pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 150V 78A TO-247AC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5 mOhm @ 33A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 107nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 78A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4530pF @ 25V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP4229PBF
- irfp4229pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 250V 44A TO-247AC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 26A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 44A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4560pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP4110PBF
- irfp4110pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 100V 120A TO-247AC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 210nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9620
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP4227PBF
- irfp4227pbf
- International Rectifier, IR
- MOSFET N-CH 200V 65A TO-247AC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 46A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 98nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 65A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4600pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP4004PBF
- irfp4004pbf
- International Rectifier, IR
- MOSFET N-CH 40V 195A TO-247AC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 195A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 330nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 195A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8920p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP3710PBF
- irfp3710pbf
- International Rectifier, IR
- MOSFET N-CH 100V 57A TO-247AC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 28A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 190nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 57A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3000pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP3703PBF
- irfp3703pbf
- International Rectifier, IR
- MOSFET N-CH 30V 210A TO-247AC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 76A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 209nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 210A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8250pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP3703
- irfp3703
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 210A TO-247AC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 76A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 209nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 210A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8250pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP360LC
- irfp360lc
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 400V 23A TO-247AC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 23A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3400pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP360PBF
- irfp360pbf
- Vishay/Siliconix, IR
- MOSFET N-CH 400V 23A TO-247AC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 210nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 23A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4500pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP360LCPBF
- irfp360lcpbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 400V 23A TO-247AC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 23A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3400pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP360
- irfp360
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 400V 23A TO-247AC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 210nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 23A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4500pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP354PBF
- irfp354pbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 450V 14A TO-247AC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 8.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 450V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 160nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2700p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP354
- irfp354
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 450V 14A TO-247AC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 8.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 450V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 160nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2700p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP350PBF
- irfp350pbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 400V 16A TO-247AC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 9.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2600pF @ 25V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP350LCPBF
- irfp350lcpbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 400V 16A TO-247AC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 9.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 76nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2200pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP340PBF
- irfp340pbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 400V 11A TO-247AC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 6.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 62nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1400pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК