Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IRFP350
- irfp350
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 400V 16A TO-247AC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 9.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2600pF @ 25V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP350LC
- irfp350lc
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 400V 16A TO-247AC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 9.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 76nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2200pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP344PBF
- irfp344pbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 450V 9.5A TO-247AC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630 mOhm @ 5.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 450V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 80nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1400pF @ 25V · FET Po
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP3415PBF
- irfp3415pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 150V 43A TO-247AC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 22A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 43A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2400pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP344
- irfp344
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 450V 9.5A TO-247AC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630 mOhm @ 5.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 450V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 80nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1400pF @ 25V · FET Po
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP340
- irfp340
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 400V 11A TO-247AC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 6.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 62nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1400pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP3306PBF
- irfp3306pbf
- International Rectifier, IR
- MOSFET N-CH 60V 120A TO-247AC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4520pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP3206PBF
- irfp3206pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 60V 120A TO-247AC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6540pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP31N50LPBF
- irfp31n50lpbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 500V 31A TO-247AC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 19A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 210nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 31A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5000pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP32N50KPBF
- irfp32n50kpbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 500V 32A TO-247AC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 32A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 190nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 32A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5280pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP2907PBF
- irfp2907pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 75V 209A TO-247AC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 125A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 620nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 209A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 13000
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP31N50L
- irfp31n50l
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 500V 31A TO-247AC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 19A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 210nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 31A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5000pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP32N50K
- irfp32n50k
- Vishay/Siliconix, IR
- MOSFET N-CH 500V 32A TO-247AC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 32A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 190nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 32A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5280pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP3077PBF
- irfp3077pbf
- International Rectifier, IR
- MOSFET N-CH 75V 120A TO-247AC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 220nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9400pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP2907ZPBF
- irfp2907zpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 75V 90A TO-247AC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 90A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 270nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7500pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP27N60KPBF
- irfp27n60kpbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 600V 27A TO-247AC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 27A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4660pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP27N60K
- irfp27n60k
- VISHAY
- N-Kanal Power Mosfet
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP26N60LPBF
- irfp26n60lpbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 600V 26A TO-247AC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 26A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5020pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFP260PBF
- irfp260pbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 200V 46A TO-247AC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 28A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 230nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 46A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5200pF @ 25V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК