Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IRFBA1405P
- irfba1405p
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 174A SUPER-220 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 101A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 260nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 174A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5480pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB9N60APBF
- irfb9n60apbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 49nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1400pF @ 25V · FET Po
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFBA1404PPBF
- irfba1404ppbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 95A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 206A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7360p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFBA1404P
- irfba1404p
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 95A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 206A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7360p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB9N65A
- irfb9n65a
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 930 mOhm @ 5.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 48nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1417pF @ 25V · FET Po
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB9N65APBF
- irfb9n65apbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 930 mOhm @ 5.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 48nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1417pF @ 25V · FET Po
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB9N30APBF
- irfb9n30apbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 300V 9.3A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 5.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 920p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB9N60A
- irfb9n60a
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 49nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1400pF @ 25V · FET Po
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB9N30A
- irfb9n30a
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 300V 9.3A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 5.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 920p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB812PBF
- irfb812pbf
- Internation.Rectifer
- EAR99
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB7446PBF
- irfb7446pbf
- Internation.Rectifer
- TO220/MOSFET, 40V, 118A, 3.3 MOHM, 62 NC QG
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB7437PBF
- irfb7437pbf
- Internation.Rectifer
- TO220/MOSFET, 40V, 195A, 2.0 MOHM, 150 NC QG
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB7434PBF
- irfb7434pbf
- Internation.Rectifer
- TO220/MOSFET, 40V, 195A, 1.6 MOHM, 216 NC QG
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB7440PBF
- irfb7440pbf
- Internation.Rectifer
- TO220/MOSFET, 40V, 120A, 2.5 MOHM, 90 NC QG
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB7430PBF
- irfb7430pbf
- Internation.Rectifer
- TO220/MOSFET, 40V, 195A, 1.3 MOHM, 300 NC QG
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB61N15DPBF
- irfb61n15dpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 150V 60A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 36A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3470pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB59N10DPBF
- irfb59n10dpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 35.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 114nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 59A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2450p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB5620PBF
- irfb5620pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 200V 25A TO-220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1710pF @ 50V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB5615PBF
- irfb5615pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 150V 34A TO-220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 21A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1750pF @ 50V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB4620PBF
- irfb4620pbf
- International Rectifier, IR
- MOSFET N-CH 200V 25A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1710pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК