Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IRFB52N15DPBF
- irfb52n15dpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 150V 51A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 36A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 89nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 51A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2770pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB4710PBF
- irfb4710pbf
- International Rectifier, IR
- MOSFET N-CH 100V 75A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 45A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6160pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB4615PBF
- irfb4615pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 150V 35A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 21A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1750pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB4610
- irfb4610
- International Rectifier, IR
- MOSFET N-CH 100V 73A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 44A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 73A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3550pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB4610PBF
- irfb4610pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 100V 73A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 44A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 73A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3550pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB4510PBF
- irfb4510pbf
- Internation.Rectifer
- TO220/MOSFET, 100V, 64A, 14.5 MOHM, 50 NC QG
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB4410ZPBF
- irfb4410zpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 58A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 97A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4820pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB4410ZGPBF
- irfb4410zgpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 58A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 97A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4820pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB4410
- irfb4410
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 100V 96A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 58A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 96A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5150pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB4332PBF
- irfb4332pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 250V 60A TO-220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5860pF @ 25V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB4410PBF
- irfb4410pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 100V 96A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 58A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 96A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5150pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB4310ZGPBF
- irfb4310zgpbf
- Internation.Rectifer
- TO220/MOSFET, 100V, 127A, 6 MOHM, 120 NC QG, HALOGEN-FREE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB4321PBF
- irfb4321pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 150V 83A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 33A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 83A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4460pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB4321GPBF
- irfb4321gpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 150V 83A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 33A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 83A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4460pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB4310ZPBF
- irfb4310zpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6860pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB4310PBF
- irfb4310pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 100V 130A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 250nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 130A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7670pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB4310GPBF
- irfb4310gpbf
- Internation.Rectifer
- TO220/MOSFET, 100V, 140A, 7 MOHM, 170 NC QG, TO-220AB, HALOG
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB42N20D
- irfb42n20d
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 200V 44A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 26A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 44A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3430pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB42N20DPBF
- irfb42n20dpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 200V 44A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 26A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 44A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3430pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFB4233PBF
- irfb4233pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 230V 56A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 28A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 230V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 56A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5510pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК